公开(公告)号：CN118016118A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202310852035.7

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪升基 ,  姜雄大 ,  朴泳宰

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种操作半导体存储器件的方法包括：将模式寄存器的操作模式设置为第一操作模式，以允许以第一周期的间隔执行刷新操作；由控制逻辑在第一操作模式下对激活命令和预充电命令进行计数以生成计数信息；由控制逻辑将阈值计数值与计数信息进行比较，以确定计数信息是否达到阈值计数值；当确定计数信息达到阈值计数值时，由控制逻辑生成自适应模式信号；以及响应于自适应模式信号，将模式寄存器的操作模式设置为以第二周期的间隔执行刷新操作的第二操作模式。第二周期小于第一周期。

公开(公告)号：CN108206033B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201711074876.0

申请日：2017-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣柱 ,  金秀娥 ,  金洙荣 ,  元民佑 ,  元福渊 ,  权志锡 ,  金荣浩 ,  柳志学 ,  尹炫喆 ,  李硕宰 ,  韩相根 ,  姜雄大 ,  权赫准 ,  李范在

IPC: G11C5/06

Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。

公开(公告)号：CN109727631A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810722488.7

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔轸湧 ,  金经纶 ,  姜雄大 ,  尹炫喆

IPC: G11C29/02

Abstract: 一种存储设备，包括连接到第一位线、第一字线和第二字线的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元连接在所述第一字线和第一位线之间，以及第二存储单元连接在第二字线和第一位线之间；第一字线驱动器，被配置为驱动所述第一字线；第二字线驱动器，被配置为驱动所述第二字线；以及测试管理器，被配置为驱动第二字线以改变第一位线的电容，并且在第一位线的电容改变之后，驱动第一字线以测试第一字线。

公开(公告)号：CN108206033A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711074876.0

申请日：2017-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣柱 ,  金秀娥 ,  金洙荣 ,  元民佑 ,  元福渊 ,  权志锡 ,  金荣浩 ,  柳志学 ,  尹炫喆 ,  李硕宰 ,  韩相根 ,  姜雄大 ,  权赫准 ,  李范在

IPC: G11C5/06

CPC classification number: H01L23/5225 ,  G11C7/06 ,  G11C7/1057 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06159 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  G11C5/063

Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。

公开(公告)号：CN116072179A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211241807.5

申请日：2022-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申相学 ,  姜雄大

IPC: G11C11/4074 ,  G06F1/26 ,  G06F1/04

Abstract: 提供了一种半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储器系统。所述半导体存储器件包括：第一电源单元，所述第一电源单元被配置为：在高频操作的正常模式下，从第一全局电源轨向第三全局电源轨和第四全局电源轨供应第一电源；在高频操作的待机模式下，向所述第三全局电源轨供应所述第一电源，而不向所述第四全局电源轨供应所述第一电源；在低频操作的正常模式下，向所述第三全局电源轨和所述第四全局电源轨供应第二全局电源轨的第二电源；以及在低频操作的待机模式下，向所述第三全局电源轨供应所述第二电源，而不向所述第四全局电源轨供应所述第二电源。

公开(公告)号：CN115705870A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210700443.6

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南瑜真 ,  姜雄大 ,  李承俊 ,  崔东永

IPC: G11C11/406

Abstract: 公开的是一种执行自刷新操作的存储装置及其操作方法。所述方法包括：从存储器控制器接收深度睡眠模式进入命令；响应于所述深度睡眠模式进入命令，将所述存储装置的内部电压的大小从第一电压改变为小于所述第一电压的第二电压；以及在所述存储器控制器的控制下进入自刷新模式，并且所述内部电压在所述自刷新模式期间被维持在所述第二电压。