公开(公告)号：CN108206033B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201711074876.0

申请日：2017-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣柱 ,  金秀娥 ,  金洙荣 ,  元民佑 ,  元福渊 ,  权志锡 ,  金荣浩 ,  柳志学 ,  尹炫喆 ,  李硕宰 ,  韩相根 ,  姜雄大 ,  权赫准 ,  李范在

IPC: G11C5/06

Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。

公开(公告)号：CN119007779A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410562299.3

申请日：2024-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暻旻 ,  金玟采 ,  朴修进 ,  元福渊 ,  李范在

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/06

Abstract: 提供了具有位于多行中的晶体管的行译码器和包括其的存储器件。该行译码器包括第一主字线驱动电路和第二主字线驱动电路，所述第一主字线驱动电路和第二主字线驱动电路被配置为将相应第一驱动信号和第二驱动信号生成到彼此相邻延伸的对应第一主字线和第二主字线上。此外，所述第一主字线驱动电路内的第一晶体管和所述第二主字线驱动电路内的第二晶体管具有相同的功能，但是当在与在其上形成所述第一主字线和所述第二主字线的衬底垂直的方向上观察时设置在不同的行中。

公开(公告)号：CN108206033A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711074876.0

申请日：2017-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣柱 ,  金秀娥 ,  金洙荣 ,  元民佑 ,  元福渊 ,  权志锡 ,  金荣浩 ,  柳志学 ,  尹炫喆 ,  李硕宰 ,  韩相根 ,  姜雄大 ,  权赫准 ,  李范在

IPC: G11C5/06

CPC classification number: H01L23/5225 ,  G11C7/06 ,  G11C7/1057 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06159 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  G11C5/063

Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。