公开(公告)号：CN116386699A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211722035.7

申请日：2022-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  孙溶完 ,  李度暻 ,  崔永夏

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34

Abstract: 所公开的是存储器设备的操作方法，其中，存储器设备包括存储器块，存储器块包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个单元晶体管。多个单元晶体管可以包括接地选择晶体管和擦除控制晶体管。擦除控制晶体管可以位于衬底和接地选择晶体管之间。操作方法可以包括：对接地选择晶体管执行第一擦除操作；在第一擦除操作之后，对擦除控制晶体管执行第一编程操作；在第一编程操作之后，对接地选择晶体管执行第二编程操作；以及，在第二编程操作之后，对擦除控制晶体管执行第二擦除操作。

公开(公告)号：CN117953947A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311415418.4

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸大植 ,  孙溶完 ,  朱相炫

IPC: G11C16/16

Abstract: 公开了存储器装置、数据存储装置和存储器装置的擦除方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；电压生成器，被配置为生成将被提供给所述多个存储器块之中的擦除操作将被执行的目标块的擦除电压和行线电压；以及控制逻辑，被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。电压生成器被配置为将擦除电压提供给与目标块连接的位线和共源极线中的至少一条，并且将行线电压提供给与目标块连接的行线，并且控制逻辑被配置为根据编程/擦除循环来改变擦除电压的斜率和行线之中的至少一条行线的浮置时间。