公开(公告)号：CN116072193A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211132043.6

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  李柱元 ,  康淑恩 ,  李度暻 ,  郑永旭 ,  朱相炫

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/08

Abstract: 一种非易失性存储装置的操作方法，包括：对第一字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第一时间戳，对第二字线执行1级编程步骤和1级验证步骤，存储第二时间戳，基于第一时间戳和第二时间戳计算延迟时间，确定延迟时间是否大于或等于阈值，基于延迟时间将与第一字线相关联的至少一个2级验证电压从第一电压电平调整为第二电压电平，以及对第一字线执行2级编程步骤和2级验证步骤。至少一个1级验证电压的电平低于第二电压电平，并且第二电压电平低于第一电压电平。

公开(公告)号：CN113948126A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110590406.X

申请日：2021-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  康淑恩 ,  李度暻 ,  李柱元

IPC: G11C8/08 ,  G11C29/42 ,  G11C7/12

Abstract: 提供一种存储装置及其读取操作方法。所述存储装置包括：非易失性存储器装置，包括非易失性存储器单元阵列和OTP存储器单元阵列，非易失性存储器单元阵列包括包含顺序堆叠的第一存储器单元和第二存储器单元的串，OTP存储器单元阵列存储参考计数值，第一存储器单元和第二存储器单元分别连接到第一字线和第二字线；控制器，包括生成第一存储器单元的读取命令的处理器；和读取电平生成器，包括：计数器，接收读取命令并计算连接到第二字线的存储器单元的截止单元计数值；比较器，从OTP存储器单元阵列接收第一参考计数值，将截止单元计数值与第一参考计数值进行比较以确定第二存储器单元的阈值电压移位，并基于阈值电压移位确定第一存储器单元的读取电平。

公开(公告)号：CN116386699A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211722035.7

申请日：2022-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  孙溶完 ,  李度暻 ,  崔永夏

IPC: G11C16/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34

Abstract: 所公开的是存储器设备的操作方法，其中，存储器设备包括存储器块，存储器块包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个单元晶体管。多个单元晶体管可以包括接地选择晶体管和擦除控制晶体管。擦除控制晶体管可以位于衬底和接地选择晶体管之间。操作方法可以包括：对接地选择晶体管执行第一擦除操作；在第一擦除操作之后，对擦除控制晶体管执行第一编程操作；在第一编程操作之后，对接地选择晶体管执行第二编程操作；以及，在第二编程操作之后，对擦除控制晶体管执行第二擦除操作。