-
-
公开(公告)号:CN116072193A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211132043.6
申请日:2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储装置的操作方法,包括:对第一字线执行1级编程步骤和1级验证步骤,存储第一时间戳,对第二字线执行1级编程步骤和1级验证步骤,存储第二时间戳,基于第一时间戳和第二时间戳计算延迟时间,确定延迟时间是否大于或等于阈值,基于延迟时间将与第一字线相关联的至少一个2级验证电压从第一电压电平调整为第二电压电平,以及对第一字线执行2级编程步骤和2级验证步骤。至少一个1级验证电压的电平低于第二电压电平,并且第二电压电平低于第一电压电平。
-
公开(公告)号:CN113223585A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202011269506.4
申请日:2020-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件、存储设备及其编程方法。所述非易失性存储器件的编程方法包括:接收写入地址和写入数据;生成与所述写入地址相对应的种子;通过使用所述种子生成随机序列;通过使用所述随机序列对所述写入数据进行随机化;以及将随机化的写入数据编程到与所述写入地址相对应的存储区域。所述种子可以提供依据字线的位置变化的状态整形,接收到的所述写入数据将被编程在所述字线处。
-
-