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公开(公告)号：CN1855304B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610059513.5
申请日：2006-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄相元
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C7/1006 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2211/5641
Abstract: 非易失性存储器阵列其中包括第一和第二块三态存储单元。这些第一和第二块被配置来分别作为第一和第二块物理存储单元独立运行，并且整体作为另一块虚拟存储单元运行。可以独立地读取第一和第二块存储单元和另一块虚拟存储单元来提供总共三块读取数据。
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公开(公告)号：CN101635172A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910165172.3
申请日：2009-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621
Abstract: 一种非易失性存储器件包括多个存储单元。每个存储单元被配置为实现多个状态之一，而每个状态代表不同的多位数据。在一个实施例中，所述编程方法包括同时地(1)将第一存储单元从第一选择状态编程为第二选择状态、以及(2)将第二存储单元从第三选择状态编程为精细第三选择状态。所述精细第三选择状态具有比第三选择状态更高的检验电压。
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公开(公告)号：CN101079322A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710128838.9
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/44 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/04 , G11C16/0483 , G11C29/00 , G11C29/42 , G11C29/52 , G11C2029/0409 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 公开了一种非易失性存储装置、存储系统和读取方法。该存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储块，每个存储块具有用于存储N位的多个存储单元，其中N是大于1的整数；页缓冲器，构建为执行用于从存储单元阵列中读取数据并输出所读取的数据的读取操作；误差校正电路，构建为检测并校正存储块K中存储的读取数据中的误差，并生成相应的误差信息；以及控制电路，构建为响应于误差信息降低从N到J的存储块K的多个存储单元中存储的位数，其中J是小于N但是大于0的整数。
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公开(公告)号：CN1677565A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510059540.8
申请日：2005-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C16/06
CPC classification number: G06F12/0893 , G11C7/1039 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2207/2245
Abstract: 用于从半导体器件读取数据的方法和器件，其中tR是读取操作时间，tT是缓冲器传送时间，而tH是主机传送时间，其中tR，tT和tH中的至少两个可被重叠，从而减小总传送时间。
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公开(公告)号：CN101673580B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN200910205712.6
申请日：2009-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄相元
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F11/1068 , G11C7/04 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 通过以下步骤来操作非易失性存储装置：使用从与特定温度范围相关的理想校验电压Vv得出的校验电压电平，在存储装置中编程采样数据用于校验；使用与所述温度范围相关的所述校验电压Vv执行对所述采样数据的读取校验操作；以及基于所述读取校验操作的结果来确定温度补偿参数Nc。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101819813B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010167375.9
申请日：2005-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C16/06
CPC classification number: G06F12/0893 , G11C7/1039 , G11C7/1051 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C2207/2245
Abstract: 提供一种半导体器件中的读取方法。该方法包括：以第一存储器单元中的数据来设定位线；和将所述位线上的所述数据存储于寄存器中，其中所述寄存器中的数据在以第二存储器单元中的数据来设定所述位线的同时，被传送至数据总线。
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公开(公告)号：CN1697086B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200510068919.5
申请日：2005-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/30 , G11C16/3454
Abstract: 本发明公开了一种对控制信息比如标志、控制标志、标记、控制标记进行编程的方法和装置。该方法和装置可以在存储器阵列的第一区域中执行指定的单元类型的低速编程，确认在存储器阵列的第一区域中指定单元类型的低速编程的结果和在确认了低速编程的结果之后在存储器阵列的第二区域中执行指定单元类型的闪速编程，其中闪速编程的初始编程电压不同于低速编程的初始编程电压。第一和第二编程可以不相同，例如第一编程可以是低速操作，比如写数据，第二编程可以是闪速操作，比如写控制信息。第一和第二编程方法也可以不相同，例如第一编程方法可以是不允许重复编程的编程方法，而第二编程方法可以是允许重复编程的编程方法。
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公开(公告)号：CN1901093A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610108021.0
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/846
Abstract: 本发明公开了一种用在非易失性存储设备中的冗余选择器电路，该冗余选择器电路包括：ROM单元阵列，其中存储了有缺陷的地址，其包括以行和列的矩阵布置的多个ROM单元；ROM控制器，用于在加电时依次选择ROM单元阵列的行；读出放大器块，用于从根据ROM控制器的控制依次选择的相应行的ROM单元中读出和放大数据位；锁存块，用于通过开关电路接收由读出放大器块所读出的数据位，并且锁存所输入的数据位作为有缺陷的地址；以及比较器块，用于检测在正常操作中输入的地址是否与存储在锁存块中的一个有缺陷的地址匹配。随着依次选择了行，通过串行传送方式将ROM单元阵列的有缺陷地址经读出放大器块传送至锁存块。
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公开(公告)号：CN113223585A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011269506.4
申请日：2020-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件、存储设备及其编程方法。所述非易失性存储器件的编程方法包括：接收写入地址和写入数据；生成与所述写入地址相对应的种子；通过使用所述种子生成随机序列；通过使用所述随机序列对所述写入数据进行随机化；以及将随机化的写入数据编程到与所述写入地址相对应的存储区域。所述种子可以提供依据字线的位置变化的状态整形，接收到的所述写入数据将被编程在所述字线处。
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公开(公告)号：CN101159165B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200710004055.X
申请日：2007-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 黄相元
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C29/804 , G11C2211/5641
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括标志单元阵列，其中每一个标志单元排列在存储单元阵列中，并散置在多个存储单元中。标志单元阵列可以包括指示对应行是否是MSB编程的多个标志单元。该非易失性存储器件根据行中的存储单元是否是MSB编程的，执行将存储单元中存储的数据读出的算法。当确定对应行是否是MSB编程时，可以用冗余标志单元替代异常操作的标志单元，或者可以排除异常操作的标志单元的数据。因此，可以改善数据读出的可靠性，并可以提高非易失性存储器的生产成品率。
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