公开(公告)号：CN113223585A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011269506.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  黄相元 ,  康淑恩 ,  张韩尔 ,  郑永旭 ,  黄完夏

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了非易失性存储器件、存储设备及其编程方法。所述非易失性存储器件的编程方法包括：接收写入地址和写入数据；生成与所述写入地址相对应的种子；通过使用所述种子生成随机序列；通过使用所述随机序列对所述写入数据进行随机化；以及将随机化的写入数据编程到与所述写入地址相对应的存储区域。所述种子可以提供依据字线的位置变化的状态整形，接收到的所述写入数据将被编程在所述字线处。

公开(公告)号：CN114093403A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110974050.X

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  金龙来 ,  张韩尔 ,  权赫济 ,  南尚完

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30

Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括形成在衬底上的第一结构和形成在所述第一结构上的第二结构。所述非易失性存储器件的擦除方法包括：向所述第一结构的第一正常字线和所述第二结构的第二正常字线施加字线擦除电压；以及向所述第一结构的第一结字线和所述第二结构的第二结字线中的至少一者施加小于所述字线擦除电压的结字线擦除电压。所述第一结字线是所述第一结构的字线当中与所述第二结构相邻的字线，所述第二结字线是所述第二结构的字线当中与所述第一结构相邻的字线。