公开(公告)号：CN113295980A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110203143.2

申请日：2021-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳炯硕 ,  权赫济 ,  崔智洙

IPC: G01R31/26 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了一种测试包括多个半导体芯片的半导体封装件的方法和半导体封装件。所述方法包括：感测分别从多个半导体芯片组输出的多个电信号，所述多个半导体芯片组中的每一个表示所述多个半导体芯片中的至少两个半导体芯片的组合；基于感测到的所述多个电信号来获得分别从所述多个半导体芯片输出的多个电信号的幅值；以及通过利用所获得的电信号的幅值输出用于半导体封装件的测试结果。

公开(公告)号：CN114093403A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110974050.X

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  金龙来 ,  张韩尔 ,  权赫济 ,  南尚完

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30

Abstract: 一种非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括形成在衬底上的第一结构和形成在所述第一结构上的第二结构。所述非易失性存储器件的擦除方法包括：向所述第一结构的第一正常字线和所述第二结构的第二正常字线施加字线擦除电压；以及向所述第一结构的第一结字线和所述第二结构的第二结字线中的至少一者施加小于所述字线擦除电压的结字线擦除电压。所述第一结字线是所述第一结构的字线当中与所述第二结构相邻的字线，所述第二结字线是所述第二结构的字线当中与所述第一结构相邻的字线。