公开(公告)号：CN116137168A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211433564.5

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全莹根 ,  柳炯硕 ,  郑宰镛 ,  崔炳镕

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/34

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条字线的多个存储器单元；多个第一传输晶体管，每个第一传输晶体管连接到所述多条字线中的一条字线的一侧；多个第二传输晶体管，每个第二传输晶体管连接到所述多条字线中的一条字线的另一侧；电压生成器，被配置为：生成多个操作电压，并且将所述多个操作电压施加到存储器单元阵列；响应于第一开关控制信号，第一开关电路被配置为将所述多个第一传输晶体管连接到电压生成器；并且响应于第二开关控制信号，第二开关电路被配置为将所述多个第二传输晶体管连接到电压生成器。

公开(公告)号：CN113295980A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110203143.2

申请日：2021-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳炯硕 ,  权赫济 ,  崔智洙

IPC: G01R31/26 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了一种测试包括多个半导体芯片的半导体封装件的方法和半导体封装件。所述方法包括：感测分别从多个半导体芯片组输出的多个电信号，所述多个半导体芯片组中的每一个表示所述多个半导体芯片中的至少两个半导体芯片的组合；基于感测到的所述多个电信号来获得分别从所述多个半导体芯片输出的多个电信号的幅值；以及通过利用所获得的电信号的幅值输出用于半导体封装件的测试结果。