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公开(公告)号：CN116137161A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211356318.4
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开一种存储器装置及操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储器块，包括在垂直于基底的方向上设置的第一邻近字线、被选字线和第二邻近字线；以及地址解码电路。在设置被选字线的第一设置时段中，地址解码电路被配置为：将第一预设置电压施加到第一邻近字线，将高于第一预设置电压的第一设置电压施加到第一邻近字线，将第二预设置电压施加到第二邻近字线，并且将高于第二预设置电压的第二设置电压施加到第二邻近字线。第一预设置电压高于第二预设置电压。
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公开(公告)号：CN113948140A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110804646.5
申请日：2021-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：包含第一串选择晶体管、第一存储单元和第一接地选择晶体管的第一串；包含第二串选择晶体管、第二存储单元和第二接地选择晶体管的第二串；和控制器，从第一时间向第一串选择线施加通过电压，在从第一时间至第二时间的第一读取时段期间向第一字线施加第一读取电压，从第一时间向第一接地选择线施加第一接地选择线电压，向第二串选择线施加接地电压，在第一控制时段期间向第二接地选择线施加第一接地选择线电压，以及在第一控制时段期间向公共源极线施加第一公共源极线电压。
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公开(公告)号：CN119964619A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411150893.8
申请日：2024-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置和编程方法。所述非易失性存储器装置包括连接到同一位线并且共享第一地选择线的第一单元串和第二单元串以及连接到所述同一位线并且共享第二地选择线的第三单元串和第四单元串，对所述非易失性存储器装置进行编程的方法包括：基于第一单元串被选择为被选单元串，执行地分离初始预充电操作，在地分离初始预充电操作中，第一电压被施加到第一地选择线并且第二电压被施加到第二地选择线；执行编程电压施加操作，在编程电压施加操作中，编程电压被施加到多条字线之中的被选择作为被选字线的字线；以及执行验证操作，在验证操作中，验证电压被施加到被选字线。
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公开(公告)号：CN117953947A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311415418.4
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
Abstract: 公开了存储器装置、数据存储装置和存储器装置的擦除方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；电压生成器，被配置为生成将被提供给所述多个存储器块之中的擦除操作将被执行的目标块的擦除电压和行线电压；以及控制逻辑，被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。电压生成器被配置为将擦除电压提供给与目标块连接的位线和共源极线中的至少一条，并且将行线电压提供给与目标块连接的行线，并且控制逻辑被配置为根据编程/擦除循环来改变擦除电压的斜率和行线之中的至少一条行线的浮置时间。
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