公开(公告)号：CN116153373A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211464903.6

申请日：2022-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  尹翔镛 ,  金民修 ,  南廷勳 ,  朴玄修

IPC: G11C16/26 ,  G11C29/42 ,  G11C16/24 ,  G11C16/08 ,  G11C16/14

Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：第一非易失性存储器装置；第二非易失性存储器装置；第三非易失性存储器装置；和存储控制器，被配置为：控制第一非易失性存储器装置、第二非易失性存储器装置和第三非易失性存储器装置，控制第一非易失性存储器装置在第一软擦除操作之后提取第一导通单元计数值，基于相应的第一导通单元计数值至第三导通单元计数值来设置相应的第一非易失性存储器装置至第三非易失性存储器装置的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移，选择各自对应于相应的第一读取电平偏移至第三读取电平偏移的第一防御码参数集至第三防御码参数集，并且基于第一防御码参数集至第三防御码参数集发送第一读取命令至第三读取命令。