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公开(公告)号：CN118866947A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410914991.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H10B41/30 , H10B41/27 , H10B43/30 , H10B43/27
Abstract: 本公开提供了包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极图案，设置在下结构之上，并包括栅极电极区域和从栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域；以及垂直沟道半导体层，具有面对栅极图案的栅极电极区域的侧表面。栅极焊盘区域包括具有比栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域。第一焊盘区域包括上表面、与上表面相反的下表面、以及外侧表面。外侧表面具有由边界部分彼此划分的下外侧表面和上外侧表面。下外侧表面从下表面延伸，并且下外侧表面和下表面的连接部分具有圆化的形状。
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公开(公告)号：CN110896101A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910862596.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极图案，设置在下结构之上，并包括栅极电极区域和从栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域；以及垂直沟道半导体层，具有面对栅极图案的栅极电极区域的侧表面。栅极焊盘区域包括具有比栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域。第一焊盘区域包括上表面、与上表面相反的下表面、以及外侧表面。外侧表面具有由边界部分彼此划分的下外侧表面和上外侧表面。下外侧表面从下表面延伸，并且下外侧表面和下表面的连接部分具有圆化的形状。
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公开(公告)号：CN107768377B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201710595119.1
申请日：2017-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括主区和延伸区；垂直沟道结构，位于主区上；电极结构，包括堆叠在基底上的栅电极。垂直沟道结构在与基底的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅电极包括线区和接触区。线区沿与第一方向垂直的第二方向从主区朝着延伸区延伸。接触区位于线区的端部上并且比线区厚。接触区之间的在第二方向上的间隔距离大于线区之间的在第一方向上的间隔距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231786B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710779508.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直半导体装置。垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖多个层间绝缘层图案和多个导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。
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公开(公告)号：CN107768377A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710595119.1
申请日：2017-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括主区和延伸区；垂直沟道结构，位于主区上；电极结构，包括堆叠在基底上的栅电极。垂直沟道结构在与基底的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅电极包括线区和接触区。线区沿与第一方向垂直的第二方向从主区朝着延伸区延伸。接触区位于线区的端部上并且比线区厚。接触区之间的在第二方向上的间隔距离大于线区之间的在第一方向上的间隔距离。
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公开(公告)号：CN110896101B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910862596.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H10B41/30 , H10B41/27 , H10B43/30 , H10B43/27
Abstract: 本公开提供了包括具有焊盘区域的栅极图案的半导体器件。一种半导体器件包括：栅极图案，设置在下结构之上，并包括栅极电极区域和从栅极电极区域延伸的栅极焊盘区域；以及垂直沟道半导体层，具有面对栅极图案的栅极电极区域的侧表面。栅极焊盘区域包括具有比栅极电极区域的厚度大的厚度的第一焊盘区域。第一焊盘区域包括上表面、与上表面相反的下表面、以及外侧表面。外侧表面具有由边界部分彼此划分的下外侧表面和上外侧表面。下外侧表面从下表面延伸，并且下外侧表面和下表面的连接部分具有圆化的形状。
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公开(公告)号：CN108231786A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710779508.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种垂直半导体装置。垂直半导体装置包括：多个层间绝缘层图案，在基底上彼此间隔开并在垂直方向上被堆叠；多个导电层图案，布置在所述多个层间绝缘层图案之间并且均具有倒圆的端部，其中，导电层图案中的至少一个导电层图案被构造为从每个层间绝缘层图案的一个侧壁延伸并且包括焊盘区，焊盘区包括被构造为从至少一个导电层图案的表面突出的凸起焊盘部分；上层间绝缘层，覆盖多个层间绝缘层图案和多个导电层图案；接触插塞，被构造为穿透上层间绝缘层以与至少一个导电层图案的凸起焊盘部分接触。
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公开(公告)号：CN108231789A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711307949.6
申请日：2017-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/535 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括：衬底，其包括单元阵列区和接触区；和堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极。堆叠结构在接触区中可包括阶梯式结构。所述多个栅电极中的每一个可包括包含阶梯式结构中的阶梯的对应的焊盘单元。焊盘单元中的至少一个可包括基础焊盘和基础焊盘上的突起焊盘。突起焊盘可位于基础焊盘的表面的垂直于对应的栅电极的延伸方向的两条边之间并且与所述两条边间隔开。
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