公开(公告)号：CN107768377B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201710595119.1

申请日：2017-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄忠一 ,  张世美 ,  李成润

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括主区和延伸区；垂直沟道结构，位于主区上；电极结构，包括堆叠在基底上的栅电极。垂直沟道结构在与基底的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅电极包括线区和接触区。线区沿与第一方向垂直的第二方向从主区朝着延伸区延伸。接触区位于线区的端部上并且比线区厚。接触区之间的在第二方向上的间隔距离大于线区之间的在第一方向上的间隔距离。

公开(公告)号：CN106024798A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610200759.3

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜周宪 ,  车俊昊 ,  玄忠一

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供一种半导体存储器件，包括：基板；层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的栅电极；竖直沟道部，穿过栅电极；掺杂区，提供在层叠结构的侧部的基板中；公共源极插塞，在基板上并电连接到掺杂区；单元接触插塞，分别连接到栅电极。公共源极插塞的顶表面处于与所述单元接触插塞的顶表面不同的水平处。

公开(公告)号：CN107768377A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710595119.1

申请日：2017-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄忠一 ,  张世美 ,  李成润

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括主区和延伸区；垂直沟道结构，位于主区上；电极结构，包括堆叠在基底上的栅电极。垂直沟道结构在与基底的顶表面垂直的第一方向上延伸。栅电极包括线区和接触区。线区沿与第一方向垂直的第二方向从主区朝着延伸区延伸。接触区位于线区的端部上并且比线区厚。接触区之间的在第二方向上的间隔距离大于线区之间的在第一方向上的间隔距离。