公开(公告)号：CN106024798A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610200759.3

申请日：2016-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜周宪 ,  车俊昊 ,  玄忠一

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供一种半导体存储器件，包括：基板；层叠结构，包括竖直地层叠在基板上的栅电极；竖直沟道部，穿过栅电极；掺杂区，提供在层叠结构的侧部的基板中；公共源极插塞，在基板上并电连接到掺杂区；单元接触插塞，分别连接到栅电极。公共源极插塞的顶表面处于与所述单元接触插塞的顶表面不同的水平处。

公开(公告)号：CN117596893A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310916866.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。

公开(公告)号：CN113299826A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110202376.0

申请日：2021-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 早川幸夫 ,  姜周宪 ,  禹明勋 ,  尹健郁 ,  黄斗熙

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 垂直可变电阻存储器件包括栅电极和柱结构。栅电极在基本垂直于衬底的上表面的垂直方向上在衬底上彼此间隔开。柱结构在衬底上在垂直方向上延伸穿过栅电极。柱结构包括在垂直方向上延伸的垂直栅电极、设置在垂直栅电极的侧壁上的可变电阻图案、以及设置在可变电阻图案的外侧壁上的沟道。沟道和垂直栅电极彼此接触。

公开(公告)号：CN118265292A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311342424.1

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇 ,  玄昇潭

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 本发明提供一种包括垂直堆叠结构的存储器件、该存储器件的制造和操作方法以及包括该存储器件的电子装置，该存储器件包括栅电极、电阻变化层、在栅电极和电阻变化层之间的沟道、在电阻变化层和沟道之间并与电阻变化层和沟道接触的岛结构、以及在栅电极和沟道之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN112086461A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010423499.2

申请日：2020-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜周宪 ,  金泰勋 ,  沈在龙 ,  郑光泳 ,  郑基容 ,  韩智勋 ,  黄斗熙

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧；以及第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向。

公开(公告)号：CN118057925A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311482544.1

申请日：2023-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢英智 ,  禹钟昊 ,  姜周宪 ,  金劲勋 ,  禹明勋

IPC: H10B41/50 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50

Abstract: 竖直存储器件可以包括：单元堆叠结构，在衬底上，其中，单元堆叠结构包括交替且重复地堆叠的绝缘层图案和栅极图案，并且其中，单元堆叠结构沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸，并且其中，单元堆叠区域的在第一方向上的边缘部分设置在第二区域中，并且具有台阶形状的台阶部分；蚀刻停止结构，在单元堆叠结构的台阶部分的栅极图案中的每一个栅极图案的上表面上，其中，蚀刻停止结构包括过渡金属氧化物；绝缘中间层，覆盖单元堆叠结构；以及接触插塞，穿过绝缘中间层和蚀刻停止结构，其中，接触插塞与栅极图案中的每一个栅极图案的上表面接触。

公开(公告)号：CN118055621A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310854193.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢英智 ,  禹钟昊 ,  姜周宪 ,  金劲勳 ,  禹明勳

IPC: H10B63/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的栅极图案和绝缘图案；栅极绝缘层，在栅极堆叠结构的侧壁上；沟道层，被栅极绝缘层围绕；源极线，被沟道层围绕；可变电阻层，被沟道层围绕；以及漏极线，被沟道层围绕。

公开(公告)号：CN116648068A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310187329.2

申请日：2023-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹明勋 ,  姜周宪 ,  朴玄睦 ,  禹钟昊 ,  卢寿星 ,  卢英智

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：栅极堆叠结构，包括交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；以及位线焊盘，在存储沟道结构上，其中，存储沟道结构包括可变电阻层、围绕可变电阻层的沟道层和围绕沟道层的沟道绝缘层，并且位线焊盘的底表面接触可变电阻层的顶表面、沟道层的顶表面和沟道绝缘层的顶表面。

公开(公告)号：CN118413993A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311590936.X

申请日：2023-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢英智 ,  禹钟昊 ,  姜周宪 ,  禹明勋

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35

Abstract: 提供了一种半导体装置和电子系统。该半导体装置包括：半导体衬底上的单元阵列结构，该单元阵列结构包括电极结构，该电极结构包括竖直并且交替地堆叠在半导体衬底上的电极和绝缘层；以及穿透电极结构的竖直结构和穿透接触插塞。竖直结构可包括第一内层、第一外层和第一中间层，并且穿透接触插塞可包括第二内层、第二外层和第二中间层。电极可包括掺杂半导体材料，并且第一外层和第二外层可包括相同的材料。第一中间层和第二中间层可包括相同的材料，并且第一内层和第二内层可包括彼此不同的材料。

公开(公告)号：CN111106127B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910743287.X

申请日：2019-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜周宪 ,  朴凤泰 ,  沈载株

IPC: H10B43/20 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：在衬底上的电极结构，电极结构包括在垂直于衬底的顶表面的第一方向上堆叠的栅电极；垂直半导体图案，穿透电极结构并连接到衬底；以及数据存储图案，在电极结构和垂直半导体图案之间。数据存储图案包括顺序堆叠的第一绝缘图案、第二绝缘图案和第三绝缘图案。第一至第三绝缘图案的每个包括沿平行于衬底的顶表面的第二方向延伸的水平部分。第一、第二和第三绝缘图案的水平部分在第一方向上顺序地堆叠。第一绝缘图案的水平部分和第三绝缘图案的水平部分中的至少一个在第二方向上突出超过第二绝缘图案的水平部分的侧壁。