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公开(公告)号：CN117355141A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310784731.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B51/20
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置和一种非易失性存储器系统。非易失性存储器装置包括：衬底；绝缘层，其位于衬底上；位线隔离层，其位于绝缘层上；共源极线导电层，其位于位线隔离层上；铁电存储器单元，其位于位线隔离层上；位线，其连接至铁电存储器单元的顶部；以及共源极线，其连接至共源极线导电层并且电连接至铁电存储器单元，其中，铁电存储器单元包括铁电层、沟道层、连接至铁电层和沟道层并且在竖直方向上延伸的第一导电填充件、以及连接至铁电层和沟道层并且在竖直方向上延伸的第二导电填充件，第一导电填充件连接至位线，并且第二导电填充件连接至共源极线。
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公开(公告)号：CN117651420A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311085210.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一层间绝缘层，在衬底上，包括第一互连部；公共源极板，在第一层间绝缘层上；导电层，在公共源极板上沿第一方向延伸；铁电层，在导电层的一个侧壁上；沟道层，在铁电层上；第一导电柱，在沟道层上，穿透公共源极板，并且连接到第一互连部；以及第二导电柱，在沟道层上，在第一方向上与第一导电柱间隔开，并且连接到公共源极板，铁电层和沟道层在公共源极板和第一导电柱之间。
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公开(公告)号：CN117440691A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310474288.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体器件，包括：板状公共源极线；第一字线和第二字线，彼此间隔开以至少部分地限定该第一字线和该第二字线之间的竖直空间；沟道图案，在竖直空间中；铁电层，包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分在沟道图案和第一字线之间，第二部分在沟道图案和第二字线之间，第三部分接触板状公共源极线；位线，在竖直空间中以接触沟道图案，并且在第一水平方向上具有第一宽度；以及源极线，在竖直空间中与位线间隔开以接触沟道图案，在第一水平方向上具有大于第一宽度的第二宽度，并且具有源极线接触部分，该源极线接触部分在板状公共源极线内部。
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公开(公告)号：CN118413993A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311590936.X
申请日：2023-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置和电子系统。该半导体装置包括：半导体衬底上的单元阵列结构，该单元阵列结构包括电极结构，该电极结构包括竖直并且交替地堆叠在半导体衬底上的电极和绝缘层；以及穿透电极结构的竖直结构和穿透接触插塞。竖直结构可包括第一内层、第一外层和第一中间层，并且穿透接触插塞可包括第二内层、第二外层和第二中间层。电极可包括掺杂半导体材料，并且第一外层和第二外层可包括相同的材料。第一中间层和第二中间层可包括相同的材料，并且第一内层和第二内层可包括彼此不同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389865B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201810105509.0
申请日：2018-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/27 , H10B43/35 , H01L29/792
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括包含单元阵列区域和接触区域的衬底、包含顺序地堆叠在衬底上的栅电极的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直结构、以及连接到接触区域中的栅电极的端部的单元接触插塞。栅电极的端部的上表面相对于单元阵列区域中的衬底的上表面具有锐角。
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公开(公告)号：CN108389865A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810105509.0
申请日：2018-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L29/792
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/308 , H01L21/3085 , H01L21/31144 , H01L27/11548 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L29/7926
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括包含单元阵列区域和接触区域的衬底、包含顺序地堆叠在衬底上的栅电极的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直结构、以及连接到接触区域中的栅电极的端部的单元接触插塞。栅电极的端部的上表面相对于单元阵列区域中的衬底的上表面具有锐角。
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公开(公告)号：CN118057925A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311482544.1
申请日：2023-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 竖直存储器件可以包括：单元堆叠结构，在衬底上，其中，单元堆叠结构包括交替且重复地堆叠的绝缘层图案和栅极图案，并且其中，单元堆叠结构沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸，并且其中，单元堆叠区域的在第一方向上的边缘部分设置在第二区域中，并且具有台阶形状的台阶部分；蚀刻停止结构，在单元堆叠结构的台阶部分的栅极图案中的每一个栅极图案的上表面上，其中，蚀刻停止结构包括过渡金属氧化物；绝缘中间层，覆盖单元堆叠结构；以及接触插塞，穿过绝缘中间层和蚀刻停止结构，其中，接触插塞与栅极图案中的每一个栅极图案的上表面接触。
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