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公开(公告)号：CN116133418A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211022832.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：彼此间隔开的第一位线和第二位线；层间绝缘层，覆盖第一位线和第二位线并包括凹槽，凹槽延伸以与第一位线和第二位线两者交叉；第一沟道图案，连接到第一位线并与凹槽的内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；第二沟道图案，连接到第二位线并与凹槽的另一内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；在凹槽中的字线；第一电极和第二电极，在层间绝缘层上并分别与第一沟道图案和第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。
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公开(公告)号：CN116419573A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211649703.8
申请日：2022-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括：衬底；包括电极和沟道分离图案的堆叠，电极堆叠在衬底上并彼此间隔开，沟道分离图案在相邻电极之间；以及穿透堆叠的垂直结构，其中垂直结构包括导电柱、沟道结构以及在导电柱和沟道结构之间的插入层，沟道结构包括通过沟道分离图案彼此垂直间隔开的第一沟道层和第二沟道层，电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极连接到第一沟道层和第二沟道层，沟道分离图案在第一沟道层和第二沟道层之间，沟道分离图案在连接到第一沟道层的一个第二电极和连接到第二沟道层的一个第一电极之间。
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公开(公告)号：CN118215286A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311708390.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/792
Abstract: 一种半导体器件，包括：源极线，在衬底上沿第一水平方向延伸；沟道层，在垂直于衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且包括第一端、与第一端相对的第二端以及将第一端与第二端连接的沟道层侧壁，第一端设置在源极线上；俘获层，设置在沟道层侧壁上；栅绝缘层，设置在俘获层的外表面上；字线，设置在栅绝缘层的至少一个侧壁上，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；漏极区，设置在沟道层的第二端上，并且包括金属或金属氮化物；以及位线，设置在漏极区上，并且在第一水平方向上延伸。
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公开(公告)号：CN116261326A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211407941.8
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/41 , H01L29/423
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；鳍结构，位于基底上；栅极结构，位于鳍结构上；第一源极/漏极，位于鳍结构的一端处；以及第二源极/漏极，位于鳍结构的另一端处，其中，栅极结构包括顺序地堆叠在鳍结构上的捕获层、阻挡层和栅电极层，第一源极/漏极掺杂有第一导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第一导电类型的掺杂剂，并且第二源极/漏极掺杂有第二导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第二导电类型的掺杂剂，第二导电类型的掺杂剂不同于第一导电类型的掺杂剂。
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公开(公告)号：CN115968194A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211006321.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括基底、在基底上在第一方向上延伸的多条源极线、与源极线交叉并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的多条字线、与源极线和字线交叉并且在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的多条位线以及设置在源极线、字线和位线之间的交点处的多个存储器单元。第一方向、第二方向和第三方向平行于基底的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117440691A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310474288.5
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维半导体器件，包括：板状公共源极线；第一字线和第二字线，彼此间隔开以至少部分地限定该第一字线和该第二字线之间的竖直空间；沟道图案，在竖直空间中；铁电层，包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分在沟道图案和第一字线之间，第二部分在沟道图案和第二字线之间，第三部分接触板状公共源极线；位线，在竖直空间中以接触沟道图案，并且在第一水平方向上具有第一宽度；以及源极线，在竖直空间中与位线间隔开以接触沟道图案，在第一水平方向上具有大于第一宽度的第二宽度，并且具有源极线接触部分，该源极线接触部分在板状公共源极线内部。
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公开(公告)号：CN116096093A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210876878.6
申请日：2022-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括：基底；第一杂质区和第二杂质区，位于基底上；第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，顺序地堆叠在基底上，并且在第一杂质区与第二杂质区之间在一方向上延伸；以及栅电极，位于第二栅极绝缘层上。第一杂质区和第二杂质区可以具有彼此不同的导电类型，第一栅极绝缘层的底表面可以与基底的顶表面直接接触，并且第二栅极绝缘层可以包括铁电材料。
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公开(公告)号：CN115884592A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211188493.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：多个栅电极，在基板上在第一水平方向上延伸并且每个包括彼此相对的第一垂直延伸侧壁和第二垂直延伸侧壁；沟道层，布置在每个栅电极的第一垂直延伸侧壁上并包括垂直延伸部分；铁电层和栅极绝缘层，依次位于沟道层和每个栅电极的第一垂直延伸侧壁之间使得铁电层在栅极绝缘层和栅电极之间；绝缘层，在每个栅电极的第二垂直延伸侧壁上；以及多条位线，电连接到沟道层并在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸。
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