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公开(公告)号：CN118215286A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311708390.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/792
Abstract: 一种半导体器件，包括：源极线，在衬底上沿第一水平方向延伸；沟道层，在垂直于衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且包括第一端、与第一端相对的第二端以及将第一端与第二端连接的沟道层侧壁，第一端设置在源极线上；俘获层，设置在沟道层侧壁上；栅绝缘层，设置在俘获层的外表面上；字线，设置在栅绝缘层的至少一个侧壁上，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；漏极区，设置在沟道层的第二端上，并且包括金属或金属氮化物；以及位线，设置在漏极区上，并且在第一水平方向上延伸。
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