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公开(公告)号：CN118055621A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310854193.6
申请日：2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 卢英智 , 禹钟昊 , 姜周宪 , 金劲勳 , 禹明勳
IPC: H10B63/00
Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的栅极图案和绝缘图案；栅极绝缘层，在栅极堆叠结构的侧壁上；沟道层，被栅极绝缘层围绕；源极线，被沟道层围绕；可变电阻层，被沟道层围绕；以及漏极线，被沟道层围绕。
