公开(公告)号：CN118057925A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311482544.1

申请日：2023-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢英智 ,  禹钟昊 ,  姜周宪 ,  金劲勋 ,  禹明勋

IPC: H10B41/50 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50

Abstract: 竖直存储器件可以包括：单元堆叠结构，在衬底上，其中，单元堆叠结构包括交替且重复地堆叠的绝缘层图案和栅极图案，并且其中，单元堆叠结构沿平行于衬底的上表面的第一方向延伸，并且其中，单元堆叠区域的在第一方向上的边缘部分设置在第二区域中，并且具有台阶形状的台阶部分；蚀刻停止结构，在单元堆叠结构的台阶部分的栅极图案中的每一个栅极图案的上表面上，其中，蚀刻停止结构包括过渡金属氧化物；绝缘中间层，覆盖单元堆叠结构；以及接触插塞，穿过绝缘中间层和蚀刻停止结构，其中，接触插塞与栅极图案中的每一个栅极图案的上表面接触。