公开(公告)号：CN117377321A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310246133.6

申请日：2023-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢寿星 ,  金容锡 ,  河大元

IPC: H10B51/30

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：第一导线，在衬底上并在第一方向上彼此间隔开；第二导线，在第二方向上与第一导线间隔开；第三导线，在第二方向上与第二导线间隔开；栅电极，在第一导线、第二导线和第三导线之间并在第一方向上延伸；铁电图案，在栅电极的相应侧表面上；栅极绝缘图案，在栅电极的相应侧表面上并与该栅电极的相应侧表面间隔开，铁电图案分别在该栅极绝缘图案和该栅电极的相应侧表面之间；以及沟道图案，沿栅极绝缘图案的相应侧表面延伸。每个沟道图案可以分别电连接到第二导线，并且可以分别电连接到第一导线或第三导线。

公开(公告)号：CN116648068A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310187329.2

申请日：2023-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹明勋 ,  姜周宪 ,  朴玄睦 ,  禹钟昊 ,  卢寿星 ,  卢英智

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：栅极堆叠结构，包括交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；以及位线焊盘，在存储沟道结构上，其中，存储沟道结构包括可变电阻层、围绕可变电阻层的沟道层和围绕沟道层的沟道绝缘层，并且位线焊盘的底表面接触可变电阻层的顶表面、沟道层的顶表面和沟道绝缘层的顶表面。