公开(公告)号：CN119497400A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411081011.7

申请日：2024-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  杨承烈 ,  玄昇潭

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 公开可变电阻存储器件和包括其的电子装置。所述可变电阻存储器件包括：沟道层；设置在所述沟道层上的电阻变化层，所述电阻变化层具有基于施加的电压而变化的电阻特性并且具有第一氧扩散激活能；以及设置在所述沟道层和所述电阻变化层之间的界面层，所述界面层具有比所述电阻变化层的第一氧扩散激活能大的第二氧扩散激活能。

公开(公告)号：CN117596893A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310916866.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。

公开(公告)号：CN118265292A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311342424.1

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇 ,  玄昇潭

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 本发明提供一种包括垂直堆叠结构的存储器件、该存储器件的制造和操作方法以及包括该存储器件的电子装置，该存储器件包括栅电极、电阻变化层、在栅电极和电阻变化层之间的沟道、在电阻变化层和沟道之间并与电阻变化层和沟道接触的岛结构、以及在栅电极和沟道之间的栅极绝缘层。

公开(公告)号：CN117597016A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311052282.5

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世润 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金裕珉 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括：包括具有大于或等于约9％的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层；在所述电阻变化层上的半导体层；在所述半导体层上的栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上彼此隔开的多个栅电极。