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公开(公告)号：CN105789309A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201511000918.7
申请日：2015-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/42376 , H01L29/7831 , H01L29/66484 , H01L29/66795 , H01L29/7855
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：包括多条长边和第一短边的鳍；第一沟槽，其紧邻所述鳍的第一短边并且具有第一深度；第二沟槽，其紧邻第一沟槽并且具有大于第一深度的第二深度；第一突出结构，其从第一沟槽的底部突出并且与第一短边并排延伸；以及栅极，其形成在第一突出结构上以与第一短边并排延伸。
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公开(公告)号：CN116705795A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310147145.3
申请日：2023-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一有源图案，包括第一下图案和多个第一片状图案；多个第一栅极结构，在第一下图案上；第二有源图案，包括第二下图案和多个第二片状图案；多个第二栅极结构，在第二下图案上；第一源极/漏极凹槽，在邻近的第一栅极结构之间；第二源极/漏极凹槽，在邻近的第二栅极结构之间；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，分别在第一源极/漏极凹槽和第二源极/漏极凹槽中，其中，从第一下图案的上表面到第一源极/漏极图案的最下部的深度小于从第二下图案的上表面到第二源极/漏极图案的最下部的深度，并且第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案包括相同导电类型的杂质。
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公开(公告)号：CN116264230A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211434984.5
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H10B10/00
Abstract: 提供了能够改善器件的性能和可靠性的半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一有源图案，所述第一有源图案包括在第一方向上延伸的第一下部图案和位于该第一下部图案上的第一片图案；位于所述衬底上的第二有源图案，所述第二有源图案包括在第二方向上与所述第一下部图案间隔开的第二下部图案和位于所述第二下部图案上的第二片图案，其中，所述第一下部图案和所述第二下部图案通过鳍沟槽间隔开。
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公开(公告)号：CN116072611A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202210967697.4
申请日：2022-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上，其中，有源图案包括彼此堆叠的多个沟道层；多个源极/漏极图案，在第一方向上彼此间隔开并且布置在有源图案上，其中，所述多个源极/漏极图案通过所述多个沟道层彼此连接；以及第一栅电极和第二栅电极，至少部分地围绕沟道层并且在第二方向上延伸，其中，第二方向与第一方向相交，其中，有源图案具有第一侧壁和面向第一侧壁的第二侧壁，并且其中，有源图案的第一侧壁与第一栅电极的外侧壁之间的第一距离和有源图案的第二侧壁与第二栅电极的外侧壁之间的第二距离不同。
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公开(公告)号：CN105789309B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201511000918.7
申请日：2015-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：包括多条长边和第一短边的鳍；第一沟槽，其紧邻所述鳍的第一短边并且具有第一深度；第二沟槽，其紧邻第一沟槽并且具有大于第一深度的第二深度；第一突出结构，其从第一沟槽的底部突出并且与第一短边并排延伸；以及栅极，其形成在第一突出结构上以与第一短边并排延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106684147B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201610545881.4
申请日：2016-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。
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公开(公告)号：CN119907301A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411491076.9
申请日：2024-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D84/83 , H01L23/538 , H10D62/13 , H10D62/17
Abstract: 一种半导体器件，包括背层间绝缘膜、设置在背层间绝缘膜内的背布线线路、设置在背布线线路的第一表面上的鳍型图案、设置在鳍型图案上的源极/漏极图案、以及连接背布线线路和源极/漏极图案的背布线接触。源极/漏极图案的底表面连接到鳍型图案并面向背布线线路。背布线接触包括背接触阻挡膜、背接触插塞膜和背铁电材料膜。背布线接触包括面向背布线线路的第三表面。从背布线线路的第二表面到背布线接触的第三表面的垂直长度小于从第二表面到源极/漏极图案的底表面的垂直长度。
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公开(公告)号：CN112420696B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202010667825.4
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。
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公开(公告)号：CN105870161B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201510994278.X
申请日：2015-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：具有第一深度以限定鳍的第一槽；直接邻近所述第一槽的第二槽，其具有大于所述第一深度的第二深度；场绝缘层，其填充所述第一槽的一部分和所述第二槽的一部分；以及突出结构，其从所述第一槽的底部突出并且低于所述场绝缘层的表面。
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公开(公告)号：CN112420696A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010667825.4
申请日：2020-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。
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