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公开(公告)号：CN105762246B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201610259089.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N‑GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N‑GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN106025027A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610557066.X
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构及其制造方法，包括衬底、N型层、有源层、P型层、N型半导体粗化层、透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成N型半导体粗化层，N型半导体粗化层由N型半导体材料经区域性粗化后形成的粗化区和未经粗化的电流阻挡区构成，粗化区由同一个平面上多个单独的锥形凸块组成，粗化深度为露出P型层，N型半导体粗化层以及粗化后露出的P型层上形成与其欧姆接触的透明导电层，透明导电层上形成P电极。本发明提升了出光效率、杜绝由于电流阻挡区被打线打裂导致的掉电极现象、改善了芯片表面的电流分布。
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公开(公告)号：CN105762246A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610259089.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 一种垂直结构发光二极管及其制作方法，涉及发光二极管生产技术领域。在相邻的元胞之间的沟槽中，于其中一个元胞的N?GaN层、量子阱层和P?GaN层的同一侧蒸镀第二布拉格反射镜层；然后在沟槽中的ITO层、第一布拉格反射镜层和第二布拉格反射镜层及制有第二布拉格反射镜层的元胞的N?GaN层的外表面制作形成金属层，使相邻的两个元胞形成串联；在各个串联的元胞的一个元胞的N?GaN层上方制作N电极，在另一个无胞的ITO层上方制作P电极。本发明工艺简单、合理，方便制作，可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN105633240A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610152153.7
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/005 , H01L33/385 , H01L33/48 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种CSP封装芯片结构，包括外延层、导电层、P电极、N电极和基板；外延层由依次形成的N-GaN、有源发光层及P-GaN构成；导电层形成在P-GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P-GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N-GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P-GaN及导电层绝缘；P电极及N电极分别与基板键合。本发明还公开一种CSP封装芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN104979444A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410147493.1
申请日：2014-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有电极保护区的四元系发光二极管，在基板一面生长发光结构，在发光结构上形成第一电极，在第一电极四周形成保护区，在保护区外侧四周形成粗化层，保护区将第一电极与粗化层隔断；在基板另一面形成第二电极。本发明还公开一种具有电极保护区的四元系发光二极管制作方法，在基板上形成发光结构；在发光结构上形成第一电极，经热处理方式使第一电极与发光结构进行融合；融合后经过光刻工艺形成保护层；经过粗化工艺，使发光区形成粗化层，并在电极四周形成保护区，保护区将第一电极与粗化层隔断；在基板的另一面形成第二电极。本发明使电极免受粗化工艺腐蚀影响，提高二极管性能；保护区起到受力缓冲作用，使得电极受力更均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119967972A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510270268.5
申请日：2025-03-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/831 , H10H20/815 , H10H20/821 , H10H20/816 , H10H20/857 , H10H29/14
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置，通过在发光台面设置使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域，从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，由于所述第二绝缘层设置于所述外延叠层的表面和第一电极/第二电极的部分表面，在所述第二电极的边缘可形成具有不同延伸方向的第一绝缘层与第二绝缘层以构建具有夹角的连接结构，可有效缓解LED芯片在特殊环境(如高温高压等)下所产生的张应力扩散，从而提高功能介质层(如透明导电层、绝缘层等)被焊崩或焊裂的风险，进而影响LED芯片的可靠性；并通过第一绝缘层与第二绝缘层的双重保护以提升LED芯片的防水汽能力。
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公开(公告)号：CN109037407B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201810874009.3
申请日：2018-08-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。
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公开(公告)号：CN117790658A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311837690.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请提供的微型LED芯片的制作方法，一方面，通过控制生长条件在外延结构上制备具有刻蚀速率差异的I TO复合层，I TO复合层包括层叠的I TO导电层和I TO掩蔽层，并刻蚀I TO复合层形成悬空结构，使I TO掩蔽层的侧向刻蚀深度大于I TO导电层的侧向刻蚀深度，通过控制ITO掩蔽层的侧向刻蚀深度，让I TO导电层可以不受光刻胶粘附性影响，以使ITO导电层侧向刻蚀深度达到预设长度，经过刻蚀后的倾斜侧壁与I TO导电层具有一定的间距，避免搭边引起漏电问题；另一方面，MESA/I TO工序合并光刻，避免单独工序时造成不同区域易套偏导致需要较大过刻蚀量，使发光区损失，而影响微型LED芯片的亮度问题，既简化流程，提升产量，降低成本，又可提升亮度。
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公开(公告)号：CN109638133B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811532311.7
申请日：2018-12-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN116207202A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310296933.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压微型发光器件的制备方法，用于实现在衬底表面通过沟道相互隔离的若干个LED单元的连接；其中，所述桥接电极通过层叠于所述玻璃化绝缘层的方式，向两端延伸至LED单元的凹槽裸露部及相邻LED单元的透明导电层，以串联相邻两个LED单元的设置；实现了第一钝化层前置蚀刻开孔裸露所述台面，从而，可精准控制透明导电层的有效面积，确保高压微型发光器件的每个LED单元的发光面积一致；此外，所述第一钝化层可同时并作为电流阻挡层实现均匀电流分布，防止LED单元的电流聚集。同时，通过在所述沟道内形成玻璃化绝缘层，以减小桥接电极向两侧LED单元延伸的高度差，且由于玻璃化体系具有良好的力学结构和化学稳定性，可很好地改善因桥接金属断开的问题。
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