公开(公告)号：CN104465322A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410697339.1

申请日：2014-11-26

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 俞宏俊 ,  黄奕仙

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02439

摘要： 本发明公开了一种减小铝衬垫晶界损伤的方法，包括如下步骤：提供一具有金属互连层的半导体衬底；于所述半导体衬底表面按照从下自上的顺序依次形成阻挡层、粘合层以及铝衬垫层；于所述铝衬垫层表面沉积一层保护层；继续形成一抗反射层以将所述保护层的表面予以覆盖。通过于铝衬垫层上设置一层保护层，并与所述保护层上表面设置一层抗反射层，以达到减小后续刻蚀工艺中受温差影响所产生的晶界损伤，以及等离子体能量过大而导致的刻蚀损伤。

公开(公告)号：CN104425652A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310472442.1

申请日：2013-08-30

申请人： 中国建材国际工程集团有限公司 ,  CTF太阳能有限公司

发明人： 克里什纳库马·维拉潘 ,  巴斯蒂安·希普欣 ,  贝蒂娜·斯帕特 ,  克里斯蒂安·德罗斯特 ,  彭寿

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/073 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提出一种生产衬顶构造或衬底构造的太阳能电池的方法。根据本发明的方法是一种使由于CdS层中的吸收而引起的损失最小化并且除去CdCl2活化处理步骤的有效方法。这通过在太阳能电池的CdS层和CdTe层之间施加金属卤化物牺牲层来实现。

公开(公告)号：CN103109351A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180043385.4

申请日：2011-08-19

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 三好实人 ,  市村干也 ,  前原宗太 ,  田中光浩

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/0661 ,  C23C16/303 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003

摘要： 本发明提供一种将硅基板作为基底基板、低位错且无裂纹的外延基板。一种外延基板，在（111）单晶硅基板上，以（0001）结晶面与基板面大致平行的方式形成III族氮化物层组，所述外延基板具有由多个基底层层叠而成的基底层组，所述基底层分别包括由AlN构成的第一III族氮化物层、和在第一III族氮化物层上形成的、由AlyyGazzN构成的第二III族氮化物层构成。第一III族氮化物层为多结晶含有缺陷层，第一和第二III族氮化物层的界面呈三维凹凸面，并且，在多个基底层中，构成基底基板正上方以外的基底层的第一III族氮化物层的厚度为50nm以上且100nm以下，第二III族氮化物层满足0≦yy≦0.2。

公开(公告)号：CN103038389A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037944.0

申请日：2011-06-02

申请人： NCC纳诺责任有限公司

发明人： K·A·施罗德 ,  R·P·文茨

IPC分类号： C23C16/56 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/428 ,  B29C35/0266 ,  B29C35/0272 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0855 ,  B29C2035/0877 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

摘要： 公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管（TFT），在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。

公开(公告)号：CN102016135B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980114398.9

申请日：2009-04-17

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B29/38 ,  C23C14/06 ,  C30B23/08

CPC分类号： C30B23/00 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/28 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02617 ,  Y10T428/24471

摘要： 本发明提供了制造裂纹数减少且具有高加工性的Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、以及外延晶片。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，在低于550℃的温度下在所述Si衬底上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1)。

公开(公告)号：CN101924020B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010205758.0

申请日：2010-06-17

申请人： 宋健民

发明人： 宋健民

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L21/02376 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在一方面中，举例而言，一种制造半导体装置的方法可包括将一钻石层的一工作表面抛光成一大致平坦的表面、将一缓冲层沉积于该钻石层的该工作表面上、及将一半导体层沉积于该缓冲层上。在一特定方面中，该缓冲层的C轴定向于垂直该钻石层的该工作表面。

公开(公告)号：CN101353813B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810130158.5

申请日：2002-08-12

申请人： 克利公司

发明人： 罗伯特·P·沃多 ,  乔治·R·布兰德斯 ,  迈克尔·A·蒂施勒 ,  迈克尔·K·凯利

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B33/00 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S117/913 ,  Y10S117/915

摘要： 一种形成自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)的方法，其步骤包括：提供外延相容的牺牲模板(12)；在模板(12)上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料(16)，形成牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)，其中包括牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)之间的界面(14)；以及对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)进行界面改性，使牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)，通过这种方法制造的自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)具有优异的形态特征，并且适于用作基体，例如，用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。

公开(公告)号：CN101410950B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200780010187.1

申请日：2007-03-19

申请人： 雷诺根公司

发明人： 王望南

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C30B29/48 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00

CPC分类号： C30B25/005 ,  C30B23/007 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02653 ,  Y10T428/24612

摘要： 一种方法，其使用纳米结构柔性层，利用HVPE在异质衬底(10)上生长高质量的平且厚的化合物半导体(15)。可通过分子束外延(MBE)、化学气相沉积(CVD)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)以及氢化物气相外延(HVPE)在异质衬底(10)上生长半导体材料的纳米结构(12)。通过使用HVPE的外延横向过生长实现连续的化合物半导体厚膜(15)或晶片的进一步的生长。

公开(公告)号：CN102383193A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110301148.5

申请日：2002-08-12

申请人： 克利公司

发明人： 罗伯特·P·沃多 ,  乔治·R·布兰德斯 ,  迈克尔·A·蒂施勒 ,  迈克尔·K·凯利

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B25/18

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  Y10S117/913 ,  Y10S117/915

摘要： 本发明提供了自支撑(Al，Ga，In)N制品及其形成方法。形成自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)的方法的步骤包括：提供外延相容的牺牲模板(12)；在模板(12)上沉积单晶(Al，Ga，In)N材料(16)，形成牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)，其中包括牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)之间的界面(14)；以及对牺牲模板/(Al，Ga，In)N复合制品(10)进行界面改性，使牺牲模板(12)与(Al，Ga，In)N材料(16)分离并得到自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)，通过这种方法制造的自支撑(Al，Ga，In)N制品(10)具有优异的形态特征，并且适于用作基体，例如，用于制造微电子和/或光电装置以及装置的先驱结构。

公开(公告)号：CN100530561C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200480032967.2

申请日：2004-09-08

申请人： 微米技术有限公司

发明人： Z·殷 ,  W·李

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： H01L21/02115 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3146 ,  H01L27/10852

摘要： 形成透明非晶碳层。该透明非晶碳层具有低吸收系数以致非晶碳在可见光中是透明的。该透明非晶碳层可以使用于半导体器件中用于不同的目的。该透明非晶碳层可以包括在半导体器件的最终结构中。该透明非晶碳层还可在半导体器件的制造期间的蚀刻处理中用作掩模。