公开(公告)号：CN104992901A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510261174.8

申请日：2011-06-02

Applicant: NCC纳诺责任有限公司

Inventor： K·A·施罗德 ,  R·P·文茨

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/428 ,  B29C35/0266 ,  B29C35/0272 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0855 ,  B29C2035/0877 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明涉及用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法。公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管(TFT)，在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。

公开(公告)号：CN104992901B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201510261174.8

申请日：2011-06-02

Applicant: NCC纳诺责任有限公司

Inventor： K·A·施罗德 ,  R·P·文茨

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/428 ,  B29C35/0266 ,  B29C35/0272 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0855 ,  B29C2035/0877 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法。公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管(TFT)，在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。

公开(公告)号：CN103038389A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037944.0

申请日：2011-06-02

Applicant: NCC纳诺责任有限公司

Inventor： K·A·施罗德 ,  R·P·文茨

IPC: C23C16/56 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/428 ,  B29C35/0266 ,  B29C35/0272 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0855 ,  B29C2035/0877 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管（TFT），在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。

公开(公告)号：CN103038389B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180037944.0

申请日：2011-06-02

Applicant: NCC纳诺责任有限公司

Inventor： K·A·施罗德 ,  R·P·文茨

IPC: C23C16/56 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/428 ,  B29C35/0266 ,  B29C35/0272 ,  B29C35/0805 ,  B29C2035/0855 ,  B29C2035/0877 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/02689 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

Abstract: 公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管（TFT），在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。