公开(公告)号：CN118639212A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285121.9

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种量产性优异的成膜方法。使用具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种金属络合物的成膜方法。

公开(公告)号：CN110620145B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910915606.0

申请日：2015-05-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。

公开(公告)号：CN109417036B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201780040522.6

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  谷川幸登

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H01L33/02

Abstract: 本申请提供了具有优异的导电性的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。通过使包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的原料溶液雾化产生喷雾的雾化步骤；利用载气将喷雾运载至基材表面附近的运载步骤；以及在氧气气氛下使基材表面附近的喷雾发生热反应的过程，在该基材上形成p‑型氧化物半导体，其具有包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的金属氧化物作为主要组分。

公开(公告)号：CN117223111A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280031272.0

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  则松和良

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层(8)，包括沟道层(6)、漂移层(7)和源极区域(1)；栅电极(5a)，经由栅极绝缘膜(4a)配置在该沟道层上；电流阻断区域(2)，配置在所述沟道层与所述漂移层之间；以及源电极(5b)，设置在所述源极区域上，其中，所述电流阻断区域由高电阻层构成，所述源电极与所述电流阻断区域形成接触。

公开(公告)号：CN109427867B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810971991.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN115968475A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202280005195.1

申请日：2022-08-03

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  三菱重工业株式会社

Inventor： 伊藤将人 ,  三竹雅也 ,  竹内健吾 ,  人罗俊实 ,  奥井富士雄

IPC: G06F115/12

Abstract: 提供一种设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法，能够在包括部件内置基板的所需最小面积的导出在内的设计中考虑部件内置基板特有的要素来进行设计。所述设计支援装置是部件内置基板的设计支援装置，所述部件内置基板内置有半导体部件，所述半导体部件构成电路的至少一部分，所述设计支援装置至少具备：部件信息获取部，获取与欲搭载在所述部件内置基板内的电子部件有关的部件信息；以及所需最小面积计算部，基于所述部件信息中包括的所述电子部件的形状信息及所述电路和/或所述电子部件的电气特性信息，来计算所述部件内置基板表面的所需最小面积。

公开(公告)号：CN115885390A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180050849.8

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  四户孝 ,  安藤裕之 ,  松原佑典 ,  北角英人

IPC: H01L29/872

Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多个PN结二极管中的至少一个与所述肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN115836468A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180048967.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 北角英人 ,  松原佑典

IPC: H02M3/155

Abstract: 提供一种降低了辐射噪声的功率转换电路。功率转换电路至少具备：开关元件(5)，经由电抗器(4)对所输入的电压进行开闭；以及换向二极管(7)，通过至少包括在所述开关元件(5)关断时从所述电抗器(4)产生的电动势的电压，使沿所述电动势的方向流动的电流导通，所述换向二极管(7)包括氧化镓系肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN115513303A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210638429.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。

公开(公告)号：CN115513302A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210637520.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。