拾取设备以及具有该拾取设备的发光二极管芯片分选设备

    公开(公告)号:CN102472790A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200980160637.4

    申请日:2009-12-24

    申请人: QMC株式会社

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: G01R31/26 H01L21/78

    CPC分类号: H01L21/67132 G01R31/2635

    摘要: 提供一种能够容易地拾取目标物的拾取设备以及具有该拾取设备的LED芯片分选设备。所述拾取设备包括:支撑部件,安装在承托部件的下方并在面向所述承托部件的表面上具有凹槽;支撑销,安装在所述支撑部件的所述凹槽的内部,以便朝着所述承托部件凸出,并且能够在穿过所述承托部件之后支撑所述目标物;以及拾取头,安装在所述目标物的上方,以便拾取所述目标物。另外,提供至少一个吸气孔,所述吸气孔穿通所述支撑部件的凹槽,以便空气流动。

    发光二极管的制造设备与方法

    公开(公告)号:CN102388436B

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN200980135714.0

    申请日:2009-09-21

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: H01L21/268 H01L33/32

    摘要: 本发明公开了一种LED的制造设备和方法,所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离,所述设备包括:激光束源,用于发射激光束;网孔型掩膜,所述网孔型掩膜具有多个孔,用于使所述激光束有选择地通过;以及成像透镜,用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑,从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。

    发光二极管的制造设备与方法

    公开(公告)号:CN102388436A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN200980135714.0

    申请日:2009-09-21

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: H01L21/268 H01L33/32

    摘要: 本发明公开了一种LED的制造设备和方法,所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离,所述设备包括:激光束源,用于发射激光束;网孔型掩膜,所述网孔型掩膜具有多个孔,用于使所述激光束有选择地通过;以及成像透镜,用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑,从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。

    拾取设备以及具有该拾取设备的发光二极管芯片分选设备

    公开(公告)号:CN102472790B

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN200980160637.4

    申请日:2009-12-24

    申请人: QMC株式会社

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: H01L21/67 G01R31/26

    CPC分类号: H01L21/67132 G01R31/2635

    摘要: 提供一种能够容易地拾取目标物的拾取设备以及具有该拾取设备的LED芯片分选设备。所述拾取设备包括:支撑部件,安装在承托部件的下方并在面向所述承托部件的表面上具有凹槽;支撑销,安装在所述支撑部件的所述凹槽的内部,以便朝着所述承托部件凸出,并且能够在穿过所述承托部件之后支撑所述目标物;以及拾取头,安装在所述目标物的上方,以便拾取所述目标物。另外,提供至少一个吸气孔,所述吸气孔穿通所述支撑部件的凹槽,以便空气流动。

    LED芯片测试装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102326090B

    公开(公告)日:2013-12-11

    申请号:CN200980157166.1

    申请日:2009-12-24

    申请人: QMC株式会社

    发明人: 柳炳韶

    IPC分类号: G01R31/26 G01R31/02

    摘要: 本发明提供一种LED芯片测试装置,所述LED芯片测试装置测量LED芯片的特性。所述LED芯片测试装置包括:转动构件,所述转动构件支撑所述LED芯片并且使所述LED芯片转动到测试该LED芯片的特性的测试位置;以及测试机,所述测试机与所述转动构件相邻地安装并且用于测量所述测试位置处的所述LED芯片的特性。