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公开(公告)号：CN105938790A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610124771.0
申请日：2016-03-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在印刷布线衬底之上安装Si内插器，等离子体清洗Si内插器的上表面，在Si内插器的上表面之上布置NCF，和通过NCF在Si内插器的上表面之上安装半导体芯片。另外，该方法包括通过多个凸起电极用回流焊将第二衬底的多个电极中的每个电极和半导体芯片的多个电极垫中的每个电极垫相互电耦合的步骤，和在将NCF附着到Si内插器之前等离子体清洗Si内插器的表面的步骤。
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公开(公告)号：CN104321866B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201280073539.9
申请日：2012-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/065 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/27312 , H01L2224/27334 , H01L2224/29006 , H01L2224/29007 , H01L2224/29012 , H01L2224/29015 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/753 , H01L2224/75315 , H01L2224/81001 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/83001 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83862 , H01L2224/83906 , H01L2224/83907 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L21/304 , H01L2224/03 , H01L21/78 , H01L2221/68381 , H01L21/4825 , H01L2224/27 , H01L2924/01047
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，在布线衬底上，通过粘接材料分别层叠俯视时的平面尺寸不同的第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，在平面尺寸相对小的第一半导体芯片上搭载平面尺寸相对大的第二半导体芯片。另外，搭载了第一及第二半导体芯片之后，用树脂封固第一及第二半导体芯片。这里，第二半导体芯片和布线衬底的间隙用树脂封固之前，预先通过搭载第一及第二半导体芯片时使用的粘接材料填塞。
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公开(公告)号：CN104241235A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410253650.7
申请日：2014-06-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/06 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49894 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/02163 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05666 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13155 , H01L2224/14104 , H01L2224/14164 , H01L2224/14179 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014
Abstract: 一种半导体芯片和插线板通过导体柱彼此耦合。位于最外围开口之上的导体柱的中心在远离半导体芯片的中心的方向上偏离开口的中心。当将其中每个导体柱和绝缘层彼此重叠的区域指定为重叠区域时，重叠区域的比开口在更内侧上的宽度小于重叠区域的比开口在更外侧上的宽度。因此，当作用在导体柱上的应力被释放时，保持了半导体芯片和接线板之间的耦合可靠性。
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公开(公告)号：CN105938790B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201610124771.0
申请日：2016-03-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在印刷布线衬底之上安装Si内插器，等离子体清洗Si内插器的上表面，在Si内插器的上表面之上布置NCF，和通过NCF在Si内插器的上表面之上安装半导体芯片。另外，该方法包括通过多个凸起电极用回流焊将第二衬底的多个电极中的每个电极和半导体芯片的多个电极垫中的每个电极垫相互电耦合的步骤，和在将NCF附着到Si内插器之前等离子体清洗Si内插器的表面的步骤。
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公开(公告)号：CN104241235B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201410253650.7
申请日：2014-06-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体芯片和插线板通过导体柱彼此耦合。位于最外围开口之上的导体柱的中心在远离半导体芯片的中心的方向上偏离开口的中心。当将其中每个导体柱和绝缘层彼此重叠的区域指定为重叠区域时，重叠区域的比开口在更内侧上的宽度小于重叠区域的比开口在更外侧上的宽度。因此，当作用在导体柱上的应力被释放时，保持了半导体芯片和接线板之间的耦合可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280602A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510364702.2
申请日：2015-06-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L22/32 , H01L23/3128 , H01L23/4951 , H01L23/4952 , H01L23/49558 , H01L23/49811 , H01L23/544 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/06153 , H01L2224/06155 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/8113 , H01L2224/81191 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2924/00011 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/32245 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2224/45147
Abstract: 本发明提高半导体装置的可靠性。在由保护绝缘膜(PIF)覆盖的焊盘(PD)的探针区域(PBR)形成有探针痕迹(PM)。并且，柱状电极(PE)具有：形成在开口区域(OP2)上的第1部分；和从开口区域(OP2)上向探针区域(PBR)上延伸的第2部分。此时，开口区域(OP2)的中心位置相对于与接合指形部相对的柱状电极(PE)的中心位置偏离。
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公开(公告)号：CN104733424A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410817762.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/78 , H01L23/3135 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/13017 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/13084 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/1607 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16238 , H01L2224/165 , H01L2224/16505 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/2064 , H01L2924/00012 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/013
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了提高半导体器件的可靠性。在电耦合Cu柱形电极和引线的导电材料中，包括锡和铜的合金的合金部件形成在这个导电材料内部。此时，合金部件接触Cu柱形电极和引线二者，并且Cu柱形电极和引线通过合金部件相接。类似地，另外，在图8中，发现Cu柱形电极和引线通过合金部件彼此电耦合。由此，可以提高Cu柱形电极和引线之间的电耦合可靠性。
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公开(公告)号：CN104321866A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201280073539.9
申请日：2012-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/065 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/27312 , H01L2224/27334 , H01L2224/29006 , H01L2224/29007 , H01L2224/29012 , H01L2224/29015 , H01L2224/2919 , H01L2224/32013 , H01L2224/32014 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/753 , H01L2224/75315 , H01L2224/81001 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/83001 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8321 , H01L2224/83862 , H01L2224/83906 , H01L2224/83907 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L21/304 , H01L2224/03 , H01L21/78 , H01L2221/68381 , H01L21/4825 , H01L2224/27 , H01L2924/01047
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，在布线衬底上，通过粘接材料分别层叠俯视时的平面尺寸不同的第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，在平面尺寸相对小的第一半导体芯片上搭载平面尺寸相对大的第二半导体芯片。另外，搭载了第一及第二半导体芯片之后，用树脂封固第一及第二半导体芯片。这里，第二半导体芯片和布线衬底的间隙用树脂封固之前，预先通过搭载第一及第二半导体芯片时使用的粘接材料填塞。
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公开(公告)号：CN106233462B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201480077989.4
申请日：2014-04-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/42 , H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 一个实施方式的半导体器件在第一半导体芯片的第一背面上搭载有第二半导体芯片。另外，第一半导体芯片的上述第一背面中包含：第一区域，在该第一区域形成经由突起电极而与上述第二半导体芯片电连接的多个第一背面电极；以及第二区域，该第二区域比上述第一区域更靠周缘部侧，并且在该第二区域形成第一金属图案。另外，上述第一金属图案相对于上述第一背面的突出高度比上述多个第一背面电极分别相对于上述第一背面的突出高度低。
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公开(公告)号：CN106233462A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201480077989.4
申请日：2014-04-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/42 , H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 一个实施方式的半导体器件在第一半导体芯片的第一背面上搭载有第二半导体芯片。另外，第一半导体芯片的上述第一背面中包含：第一区域，在该第一区域形成经由突起电极而与上述第二半导体芯片电连接的多个第一背面电极；以及第二区域，该第二区域比上述第一区域更靠周缘部侧，并且在该第二区域形成第一金属图案。另外，上述第一金属图案相对于上述第一背面的突出高度比上述多个第一背面电极分别相对于上述第一背面的突出高度低。
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