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公开(公告)号：CN118248662A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311066451.0
申请日：2023-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供了半导体封装件。在一些实施例中，一种半导体封装件包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一焊盘，在第一区域上；第二焊盘，在第二区域上；第一介电层，在第一区域上并且包括使第一焊盘暴露的第一开口；第二介电层，在第二区域上并且包括使第二焊盘暴露的第二开口；第一凸块结构，在第一焊盘上并且在第一开口中；以及第二凸块结构，在第二焊盘上并且在第二开口中。第一介电层的厚度大于第二介电层的厚度。基底与第一凸块结构的最上端之间的距离长于基底与第二凸块结构的最上端之间的距离。
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公开(公告)号：CN111755410A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911067933.1
申请日：2019-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L25/18
Abstract: 提供一种中介层以及半导体封装。中介层包括：基础基底；互连结构，位于基础基底的顶表面上且包括金属互连图案；上钝化层，位于互连结构上且具有压缩应力；下钝化层，位于基础基底的底表面下面，所述下钝化层具有比上钝化层的压缩应力小的压缩应力；下导电层，位于下钝化层下面；以及贯穿电极，穿透基础基底及下钝化层。所述贯穿电极将下导电层电连接到互连结构的金属互连图案。
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公开(公告)号：CN105633046A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510809687.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05553 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06102 , H01L2224/09517 , H01L2224/09519 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13012 , H01L2224/13017 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/1308 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14051 , H01L2224/14104 , H01L2224/16238 , H01L2224/17517 , H01L2224/17519 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/488 , H01L2224/17104
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装。半导体装置可以包括半导体基底、在半导体基底上的导电垫、覆在半导体基底上并暴露导电垫的钝化层以及凸点结构。凸点结构可以包括导电垫上的第一凸点结构和钝化层上的第二凸点结构。第一凸点结构可以包括顺序地堆叠在导电垫上的基体凸点层、第一柱状凸点层和第一焊料凸点层。第二凸点结构可以包括顺序地堆叠在钝化层上的第二柱状凸点层和第二焊料凸点层。
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公开(公告)号：CN109087867B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201810607736.3
申请日：2018-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。制造半导体封装件的方法包括在半导体器件的芯片焊盘上形成覆盖图案。半导体器件包括暴露芯片焊盘的一部分的钝化图案，覆盖图案覆盖芯片焊盘。所述方法还包括在覆盖图案上形成再分布层。形成再分布层的步骤包括：在覆盖图案和钝化图案上形成第一绝缘图案；通过对第一绝缘图案执行曝光工艺和显影工艺来在第一绝缘图案中形成第一开口，其中，所述第一开口暴露覆盖图案的一部分；以及在第一开口中形成再分布图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112992862A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010772040.3
申请日：2020-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 提供了中介层和具有中介层的半导体封装件。所述中介层包括：基体层，具有第一表面和第二表面；重新分布结构，位于第一表面上；中介层保护层，位于第二表面上；垫布线层，位于中介层保护层上；中介层贯穿电极，穿过基体层和中介层保护层，并且将重新分布结构电连接到垫布线层；中介层连接端子，附着到垫布线层；以及布线保护层，包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分覆盖中介层保护层的与垫布线层相邻的部分，第二部分覆盖垫布线层的顶表面的部分，第三部分覆盖垫布线层的侧表面。第三部分设置在第一部分与第二部分之间。第一部分至第三部分具有彼此不同的厚度。
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公开(公告)号：CN112086448A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010431047.9
申请日：2020-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体封装件包括基板和设置在所述基板上的内插件。所述内插件包括面向所述基板的第一表面和背对所述基板的第二表面。第一逻辑半导体芯片设置在所述内插件的所述第一表面上，并且在与所述基板的上表面垂直的第一方向上与所述基板间隔开。第一存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上。第二存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上，并且在与所述基板的所述上表面平行的第二方向上与所述第一存储器封装件间隔开。第一传热单元设置在所述基板的面向所述第一逻辑半导体芯片的表面上。所述第一传热单元在所述第一方向上与所述第一逻辑半导体芯片间隔开。
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公开(公告)号：CN106876284A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201611043189.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/105 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L25/03 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1064 , H01L2225/1076 , H01L2225/1088 , H01L25/065 , H01L21/56
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括上半导体芯片封装件、下半导体芯片封装件和置于封装件之间的重分配布线层图案。下封装件包括模制层，至少一个芯片嵌入模制层中，下封装件具有顶表面和倾斜的侧壁表面，重分配布线层图案沿顶表面和侧壁表面形成。上封装件和下封装件通过重分配布线层图案彼此电连接。第一封装件可由晶片级封装技术形成并可包括作为基底的重分配布线层、设置在重分配布线层上的半导体芯片以及其上设置有下封装件、重分配布线层图案和上封装件的模制层。
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公开(公告)号：CN106548997A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610805906.X
申请日：2016-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02205 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05184 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/10145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1162 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13026 , H01L2224/13076 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13564 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2224/13016
Abstract: 公开了一种电子器件和一种半导体器件。所述电子器件包括其上具有电气导电的接触焊盘的基底和在接触焊盘上的电气导电的连接端子。连接端子包括导电柱结构和在柱结构上延伸并且与柱结构的侧壁的突出部分接触的焊料层。柱结构可包括下柱层、在下柱层上的扩散阻挡层和在扩散阻挡层上的上柱层。在发明的一些附加实施例中，柱结构的侧壁的突出部分包括扩散阻挡层的上表面的最外侧部分。这可通过使扩散阻挡层的宽度当在横向剖面上观察时大于上柱层的宽度来获得。
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