-
公开(公告)号:CN118248662A
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202311066451.0
申请日:2023-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本公开提供了半导体封装件。在一些实施例中,一种半导体封装件包括:基底,包括第一区域和第二区域;第一焊盘,在第一区域上;第二焊盘,在第二区域上;第一介电层,在第一区域上并且包括使第一焊盘暴露的第一开口;第二介电层,在第二区域上并且包括使第二焊盘暴露的第二开口;第一凸块结构,在第一焊盘上并且在第一开口中;以及第二凸块结构,在第二焊盘上并且在第二开口中。第一介电层的厚度大于第二介电层的厚度。基底与第一凸块结构的最上端之间的距离长于基底与第二凸块结构的最上端之间的距离。