公开(公告)号：CN109830466A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910150160.7

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN109830466B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201910150160.7

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L21/98

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN113764363A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110257151.5

申请日：2021-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳孝昌 ,  金喆禹 ,  柳周铉 ,  李相贤 ,  崔允硕

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一基板；在第一基板上彼此间隔开的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一芯片结构和第二芯片结构之间限定有间隙区域；以及覆盖第一芯片结构、第二芯片结构和第一基板的散热构件，该散热构件在该散热构件的内顶表面中包括第一沟槽，其中，第一沟槽与间隙区域竖直地重叠并且宽度大于间隙区域的宽度，并且其中第一沟槽至少与第一芯片结构的顶表面的一部分或第二芯片结构的顶表面的一部分竖直地重叠。

公开(公告)号：CN112086448A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010431047.9

申请日：2020-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑阳圭 ,  金喆禹 ,  柳孝昌 ,  柳承官 ,  崔允硕

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H05K1/18

Abstract: 一种半导体封装件包括基板和设置在所述基板上的内插件。所述内插件包括面向所述基板的第一表面和背对所述基板的第二表面。第一逻辑半导体芯片设置在所述内插件的所述第一表面上，并且在与所述基板的上表面垂直的第一方向上与所述基板间隔开。第一存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上。第二存储器封装件设置在所述内插件的所述第二表面上，并且在与所述基板的所述上表面平行的第二方向上与所述第一存储器封装件间隔开。第一传热单元设置在所述基板的面向所述第一逻辑半导体芯片的表面上。所述第一传热单元在所述第一方向上与所述第一逻辑半导体芯片间隔开。

公开(公告)号：CN111755433A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201911288883.X

申请日：2019-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑阳圭 ,  金喆禹 ,  柳孝昌 ,  崔允硕

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498

Abstract: 一种半导体封装可包括：封装基底；第一中间基底，安装在封装基底上；以及第一半导体芯片，设置在第一中间基底上。第一中间基底可包括：第一基础层；第二基础层，设置在第一基础层上；电路图案，设置在第一基础层及第二基础层中的每一者中；以及集成器件，嵌置在第一基础层中且连接到电路图案中的至少一个电路图案。第一基础层的顶表面可接触第二基础层的底表面。

公开(公告)号：CN111755433B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201911288883.X

申请日：2019-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑阳圭 ,  金喆禹 ,  柳孝昌 ,  崔允硕

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体封装可包括：封装基底；第一中间基底，安装在封装基底上；以及第一半导体芯片，设置在第一中间基底上。第一中间基底可包括：第一基础层；第二基础层，设置在第一基础层上；电路图案，设置在第一基础层及第二基础层中的每一者中；以及集成器件，嵌置在第一基础层中且连接到电路图案中的至少一个电路图案。第一基础层的顶表面可接触第二基础层的底表面。

公开(公告)号：CN105453255B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201380078824.4

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。

公开(公告)号：CN105453255A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201380078824.4

申请日：2013-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗珉玉 ,  金钟局 ,  柳孝昌 ,  朴镇右 ,  孙凤辰 ,  李章雨

IPC: H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/373 ,  H01L21/563 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种热界面材料层和包括该热界面材料层的层叠封装件器件。层叠封装件器件可包括设置在上半导体封装件和下半导体封装件之间并被构造为具有特定的物理性质的热界面材料层。因此，在执行焊料球焊接工艺来将上半导体封装件安装在下半导体封装件时，能够防止在下半导体芯片中出现开裂。