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公开(公告)号:CN111755410A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201911067933.1
申请日:2019-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L25/18
Abstract: 提供一种中介层以及半导体封装。中介层包括:基础基底;互连结构,位于基础基底的顶表面上且包括金属互连图案;上钝化层,位于互连结构上且具有压缩应力;下钝化层,位于基础基底的底表面下面,所述下钝化层具有比上钝化层的压缩应力小的压缩应力;下导电层,位于下钝化层下面;以及贯穿电极,穿透基础基底及下钝化层。所述贯穿电极将下导电层电连接到互连结构的金属互连图案。
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公开(公告)号:CN109390467B
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN201810908334.7
申请日:2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/64 , H10N99/00
Abstract: 本公开提供了一种电容器结构及包括其的半导体器件。该电容器结构包括:包括电极垫和地垫的衬底;在衬底上的多个电介质层,多个电介质层在衬底上处于不同的水平;在多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层,多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层;将多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞;以及在多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层,至少一个第二电介质层不同于至少两个第一电介质层,并且所述至少一个接触层将多个导电图案层电连接到电极垫和地垫。
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公开(公告)号:CN112992862A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202010772040.3
申请日:2020-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 提供了中介层和具有中介层的半导体封装件。所述中介层包括:基体层,具有第一表面和第二表面;重新分布结构,位于第一表面上;中介层保护层,位于第二表面上;垫布线层,位于中介层保护层上;中介层贯穿电极,穿过基体层和中介层保护层,并且将重新分布结构电连接到垫布线层;中介层连接端子,附着到垫布线层;以及布线保护层,包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分覆盖中介层保护层的与垫布线层相邻的部分,第二部分覆盖垫布线层的顶表面的部分,第三部分覆盖垫布线层的侧表面。第三部分设置在第一部分与第二部分之间。第一部分至第三部分具有彼此不同的厚度。
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公开(公告)号:CN115732466A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202210759488.0
申请日:2022-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H10B80/00
Abstract: 提供了一种电感器和一种半导体封装件。所述电感器包括:半导体基底,设置有包括第一布线层和第二布线层的多个布线层;直导线,位于半导体基底的第一布线层处,具有第一端;螺旋图案的导电线圈,在第一布线层上方位于第二布线层处,具有第二端;以及导电过孔,将直导线的第一端竖直连接到导电线圈的第二端。当在平面图中观看时,多个虚设图案布置在由螺旋图案的最内匝限定的第一区域中。
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公开(公告)号:CN109390467A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201810908334.7
申请日:2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/00
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5286 , H01L28/88 , H01L28/91 , H01L28/40
Abstract: 本公开提供了一种电容器结构及包括其的半导体器件。该电容器结构包括:包括电极垫和地垫的衬底;在衬底上的多个电介质层,多个电介质层在衬底上处于不同的水平;在多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层,多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层;将多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞;以及在多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层,至少一个第二电介质层不同于至少两个第一电介质层,并且所述至少一个接触层将多个导电图案层电连接到电极垫和地垫。
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