公开(公告)号：US08501634B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13045291

申请日：2011-03-10

申请人： Shao-Wei Wang ,  Gin-Chen Huang ,  Tsuo-Wen Lu ,  Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang

发明人： Shao-Wei Wang ,  Gin-Chen Huang ,  Tsuo-Wen Lu ,  Chien-Liang Lin ,  Yu-Ren Wang

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

摘要： A gate structure and a method for fabricating the same are described. A substrate is provided, and a gate dielectric layer is formed on the substrate. The formation of the gate dielectric layer includes depositing a silicon nitride layer on the substrate by simultaneously introducing a nitrogen-containing gas and a silicon-containing gas. A gate is formed on the gate dielectric layer, so as to form the gate structure.

摘要翻译： 对栅极结构及其制造方法进行说明。 提供衬底，并且在衬底上形成栅极电介质层。 栅电介质层的形成包括通过同时引入含氮气体和含硅气体在衬底上沉积氮化硅层。 栅极形成在栅极介电层上，以形成栅极结构。

公开(公告)号：US20120264267A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13084564

申请日：2011-04-12

申请人： Tsuo-Wen Lu ,  Gin-Chen Huang ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ya-Chi Cheng

发明人： Tsuo-Wen Lu ,  Gin-Chen Huang ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ya-Chi Cheng

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7834

摘要： A method of fabricating a MOS transistor includes the steps of: providing a substrate; forming a gate structure on the substrate; forming a first spacer on the sidewall of the gate structure and forming at least a recess within the substrate next to the first spacer; performing an oxygen-containing process to form an oxygen-containing layer on the surface of the recess; performing a cleaning process to remove the oxygen-containing layer; performing an epitaxial process to form an epitaxial layer in the recess; and removing the first spacer.

摘要翻译： 制造MOS晶体管的方法包括以下步骤：提供衬底; 在基板上形成栅极结构; 在所述栅极结构的侧壁上形成第一间隔物，并在所述基板内至少形成一个与所述第一间隔物相邻的凹槽; 在所述凹部的表面上进行含氧处理以形成含氧层; 进行清洗处理以除去含氧层; 执行外延工艺以在所述凹部中形成外延层; 并移除第一间隔物。

公开(公告)号：US08987096B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US13367376

申请日：2012-02-07

申请人： Ying-Tsung Chen ,  Chien-Ting Lin ,  Ssu-I Fu ,  Shih-Hung Tsai ,  Wen-Tai Chiang ,  Chih-Wei Chen ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Shao-Wei Wang ,  Kai-Ping Wang

发明人： Ying-Tsung Chen ,  Chien-Ting Lin ,  Ssu-I Fu ,  Shih-Hung Tsai ,  Wen-Tai Chiang ,  Chih-Wei Chen ,  Chiu-Hsien Yeh ,  Shao-Wei Wang ,  Kai-Ping Wang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate is provided. An ozone saturated deionized water process is performed to form an oxide layer on the substrate. A dielectric layer is formed on the oxide layer. A post dielectric annealing (PDA) process is performed on the dielectric layer and the oxide layer.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供基板。 进行臭氧饱和去离子水处理以在衬底上形成氧化物层。 在氧化物层上形成介电层。 在电介质层和氧化物层上进行后介电退火（PDA）工艺。

公开(公告)号：US08802579B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13271256

申请日：2011-10-12

申请人： Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen

发明人： Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate is provided. A dielectric layer having a high dielectric constant is formed on the substrate, wherein the steps of forming the dielectric layer include: (a) a metallic oxide layer is formed; (b) an annealing process is performed to the metallic oxide layer; and the steps (a) and (b) are performed repeatedly. Otherwise, the present invention further provides a semiconductor structure formed by said semiconductor process.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供基板。 在基板上形成具有高介电常数的介电层，其中形成电介质层的步骤包括：（a）形成金属氧化物层; （b）对金属氧化物层进行退火处理; 并重复执行步骤（a）和（b）。 另外，本发明还提供了由所述半导体工艺形成的半导体结构。

公开(公告)号：US20130093064A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13271256

申请日：2011-10-12

申请人： Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen

发明人： Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ying-Wei Yen

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate is provided. A dielectric layer having a high dielectric constant is formed on the substrate, wherein the steps of forming the dielectric layer include: (a) a metallic oxide layer is formed; (b) an annealing process is performed to the metallic oxide layer; and the steps (a) and (b) are performed repeatedly. Otherwise, the present invention further provides a semiconductor structure formed by said semiconductor process.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供基板。 在基板上形成具有高介电常数的介电层，其中形成电介质层的步骤包括：（a）形成金属氧化物层; （b）对金属氧化物层进行退火处理; 并重复执行步骤（a）和（b）。 另外，本发明还提供了由所述半导体工艺形成的半导体结构。

公开(公告)号：US20120264284A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13086410

申请日：2011-04-14

申请人： Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang ,  Chien-Liang Lin

发明人： Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang ,  Chien-Liang Lin

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/165 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： A manufacturing method for a metal gate structure includes providing a substrate having a gate trench formed thereon, forming a work function metal layer in the gate trench, and performing an annealing process to the work function metal layer. The annealing process is performed at a temperature between 400° C. and 500° C., and in a bout 20 seconds to about 180 seconds.

摘要翻译： 金属栅极结构的制造方法包括提供其上形成有栅极沟槽的衬底，在栅极沟槽中形成功函数金属层，并对功函数金属层进行退火处理。 退火过程在400℃和500℃之间的温度下进行，并且在20秒至约180秒的温度下进行。

公开(公告)号：US08872286B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13214260

申请日：2011-08-22

申请人： Tsun-Min Cheng ,  Min-Chuan Tsai ,  Chih-Chien Liu ,  Jen-Chieh Lin ,  Pei-Ying Li ,  Shao-Wei Wang ,  Mon-Sen Lin ,  Ching-Ling Lin

发明人： Tsun-Min Cheng ,  Min-Chuan Tsai ,  Chih-Chien Liu ,  Jen-Chieh Lin ,  Pei-Ying Li ,  Shao-Wei Wang ,  Mon-Sen Lin ,  Ching-Ling Lin

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L29/43 ,  H01L29/772 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/435 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： A metal gate structure located on a substrate includes a gate dielectric layer, a metal layer and a titanium aluminum nitride metal layer. The gate dielectric layer is located on the substrate. The metal layer is located on the gate dielectric layer. The titanium aluminum nitride metal layer is located on the metal layer.

摘要翻译： 位于基板上的金属栅极结构包括栅介质层，金属层和氮化铝钛金属层。 栅介质层位于衬底上。 金属层位于栅极电介质层上。 氮化铝钛金属层位于金属层上。

公开(公告)号：US08501636B1

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13556247

申请日：2012-07-24

申请人： Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Chien-Liang Lin ,  Ying-Wei Yen ,  Kun-Yuan Lo ,  Chih-Wei Yang

发明人： Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Chien-Liang Lin ,  Ying-Wei Yen ,  Kun-Yuan Lo ,  Chih-Wei Yang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for fabricating silicon dioxide layer is disclosed. The method includes the following steps. Firstly, a semiconductor substrate is provided. Next, the semiconductor substrate is cleaned with a solution containing hydrogen peroxide to form a chemical oxide layer on the semiconductor substrate. Then, the chemical oxide layer is heated in no oxygen atmosphere, such that the chemical oxide layer forms a compact layer. Then, the semiconductor substrate is heated in oxygen atmosphere to form a silicon dioxide layer between the semiconductor substrate and the compact layer.

摘要翻译： 公开了制造二氧化硅层的方法。 该方法包括以下步骤。 首先，提供半导体衬底。 接下来，用含有过氧化氢的溶液清洗半导体衬底，以在半导体衬底上形成化学氧化物层。 然后，化学氧化物层在无氧气氛中加热，使得化学氧化物层形成致密层。 然后，在氧气氛中加热半导体衬底，以在半导体衬底和致密层之间形成二氧化硅层。

公开(公告)号：US08445363B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13091153

申请日：2011-04-21

申请人： Tsuo-Wen Lu ,  I-Ming Lai ,  Tsung-Yu Hou ,  Chien-Liang Lin ,  Wen-Yi Teng ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Chin-Cheng Chien

发明人： Tsuo-Wen Lu ,  I-Ming Lai ,  Tsung-Yu Hou ,  Chien-Liang Lin ,  Wen-Yi Teng ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Chin-Cheng Chien

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A method of fabricating an epitaxial layer includes providing a substrate. The substrate is etched to form at least a recess within the substrate. A surface treatment is performed on the recess to form a Si—OH containing surface. An in-situ epitaxial process is performed to form an epitaxial layer within the recess, wherein the epitaxial process is performed in a hydrogen-free atmosphere and at a temperature lower than 800° C.

摘要翻译： 制造外延层的方法包括提供衬底。 衬底被蚀刻以在衬底内形成至少一个凹部。 在凹部上进行表面处理以形成含Si-OH的表面。 进行原位外延工艺以在凹槽内形成外延层，其中外延工艺在无氢气氛和低于800℃的温度下进行。

公开(公告)号：US08426277B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US13241232

申请日：2011-09-23

申请人： Chien-Liang Lin ,  Shih-Hung Tsai ,  Chun-Hsien Lin ,  Te-Lin Sun ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang

发明人： Chien-Liang Lin ,  Shih-Hung Tsai ,  Chun-Hsien Lin ,  Te-Lin Sun ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Yu-Ren Wang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A substrate is provided. At least a fin-shaped structure is formed on the substrate and an oxide layer is formed on the substrate without the fin-shaped structure forming thereon. A thermal treatment process is performed to form a melting layer on at least a part of the sidewall of the fin-shaped structure.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 提供基板。 至少在基板上形成翅片状结构，在基板上形成氧化层，而不形成翅片状结构。 进行热处理工艺以在鳍状结构的侧壁的至少一部分上形成熔融层。