公开(公告)号：US20120309171A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13118473

申请日：2011-05-30

申请人： Tsuo-Wen Lu ,  Wen-Yi Teng ,  Yu-Ren Wang ,  Gin-Chen Huang ,  Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Ya-Chi Cheng ,  Shu-Yen Chan ,  Chan-Lon Yang

发明人： Tsuo-Wen Lu ,  Wen-Yi Teng ,  Yu-Ren Wang ,  Gin-Chen Huang ,  Chien-Liang Lin ,  Shao-Wei Wang ,  Ying-Wei Yen ,  Ya-Chi Cheng ,  Shu-Yen Chan ,  Chan-Lon Yang

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A method for fabricating semiconductor device is disclosed. The method includes the steps of: providing a substrate, wherein the substrate comprises a gate structure thereon; forming a film stack on the substrate and covering the gate structure, wherein the film stack comprises at least an oxide layer and a nitride layer; removing a portion of the film stack for forming recesses adjacent to two sides of the gate structure and a disposable spacer on the sidewall of the gate structure; and filling the recesses with a material comprising silicon atoms for forming a faceted material layer.

摘要翻译： 公开了半导体器件的制造方法。 该方法包括以下步骤：提供衬底，其中衬底包括其上的栅极结构; 在所述衬底上形成膜叠层并覆盖所述栅极结构，其中所述膜堆叠至少包括氧化物层和氮化物层; 移除所述薄膜叠层的一部分以形成邻近所述栅极结构的两侧的凹槽和所述栅极结构侧壁上的一次性间隔物; 并用包含硅原子的材料填充凹部，以形成刻面材料层。

公开(公告)号：US20120264267A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13084564

申请日：2011-04-12

申请人： Tsuo-Wen Lu ,  Gin-Chen Huang ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ya-Chi Cheng

发明人： Tsuo-Wen Lu ,  Gin-Chen Huang ,  Shao-Wei Wang ,  Yu-Ren Wang ,  Ya-Chi Cheng

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7834

摘要： A method of fabricating a MOS transistor includes the steps of: providing a substrate; forming a gate structure on the substrate; forming a first spacer on the sidewall of the gate structure and forming at least a recess within the substrate next to the first spacer; performing an oxygen-containing process to form an oxygen-containing layer on the surface of the recess; performing a cleaning process to remove the oxygen-containing layer; performing an epitaxial process to form an epitaxial layer in the recess; and removing the first spacer.

摘要翻译： 制造MOS晶体管的方法包括以下步骤：提供衬底; 在基板上形成栅极结构; 在所述栅极结构的侧壁上形成第一间隔物，并在所述基板内至少形成一个与所述第一间隔物相邻的凹槽; 在所述凹部的表面上进行含氧处理以形成含氧层; 进行清洗处理以除去含氧层; 执行外延工艺以在所述凹部中形成外延层; 并移除第一间隔物。