公开(公告)号：US20150050463A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：US14265794

申请日：2014-04-30

申请人： Aspect Inc.

发明人： Shizuka NAKANO ,  Toru SHIMIZU ,  Masashi HAGIWARA ,  Masahiro SASSA

IPC分类号： B28B17/00 ,  B23K26/34 ,  B23K26/00 ,  B28B1/00 ,  B22F3/105

CPC分类号： B28B17/0081 ,  B22F3/1055 ,  B22F2003/1056 ,  B23K26/082 ,  B23K26/342 ,  B23K26/354 ,  B28B1/001 ,  B28B17/0063 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02 ,  B33Y80/00 ,  C04B35/04 ,  C04B35/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/48 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B2235/6026 ,  C04B2235/665 ,  Y02P10/295 ,  Y10T428/24777

摘要： A powder rapid prototyping method includes steps of forming a thin layer 35a of a powder material, irradiating a heating energy beam to a specific region of the thin layer 35a of the powder material to thereby form a preliminary heating layer 35c whose temperature is elevated, and irradiating the heating energy beam to an inside region of the preliminary heating layer 35c whose temperature is elevated to melt and then solidify the thin layer 35a of the powder material to thereby form a solidified layer, wherein the respective steps are repeatedly implemented to fabricate a rapid prototyping model 51, 52.

摘要翻译： 粉末快速成型方法包括以下步骤：形成粉末材料的薄层35a，将加热能量束照射到粉末材料的薄层35a的特定区域，从而形成温度升高的预热层35c， 将加热能量束照射到温度升高的预热层35c的内部区域熔融，然后固化粉末材料的薄层35a，从而形成固化层，其中各个步骤被重复地实施以制造快速 原型模型51,52。

公开(公告)号：US08951440B2

公开(公告)日：2015-02-10

申请号：US13626684

申请日：2012-09-25

申请人： Intematix Corporation

发明人： Shengfeng Liu ,  Dejie Tao ,  Xianglong Yuan ,  Yi-Qun Li

IPC分类号： C09K11/59 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50 ,  C09K11/77 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C09K11/08 ,  H05B33/12

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/723 ,  C09K11/0883 ,  F21V9/30 ,  F21Y2115/10 ,  H05B33/12 ,  Y02B20/181

摘要： Embodiments of the present invention are directed to nitride-based, red-emitting phosphors in red, green, and blue (RGB) lighting systems, which in turn may be used in backlighting displays and warm white-light applications. In particular embodiments, the red-emitting phosphor is based on CaAlSiN3 type compounds activated with divalent europium. In one embodiment, the nitride-based, red emitting compound contains a solid solution of calcium and strontium compounds (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+, wherein the impurity oxygen content is less than about 2 percent by weight. In another embodiment, the (Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+ compounds further contains a halogen in an amount ranging from about zero to about 2 atomic percent, where the halogen may be fluorine (F), chlorine (Cl), or any combination thereof. In one embodiment at least half of the halogen is distributed on 2-fold coordinated nitrogen (N2) sites relative to 3-fold coordinated nitrogen (N3) sites.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及红色，绿色和蓝色（RGB）照明系统中的基于氮化物的红色发光荧光体，其又可用于背光显示器和暖白光应用。 在具体实施方案中，红色发光荧光体基于用二价铕活化的CaAlSiN 3型化合物。 在一个实施方案中，基于氮化物的红色发射化合物含有钙和锶化合物（Ca，Sr）AlSiN 3：Eu 2+的固溶体，其中杂质氧含量小于约2重量％。 在另一个实施方案中，（Ca，Sr）AlSiN 3：Eu 2+化合物还含有量为约0至约2原子％的卤素，其中卤素可以是氟（F），氯（Cl）或其任何组合 。 在一个实施方案中，至少一半的卤素相对于3倍配位的氮（N 3）位点分布在2倍配位的氮（N 2）位点上。

公开(公告)号：US20140374931A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US14357472

申请日：2012-11-12

申请人： CERAMTEC-ETEC GMBH

发明人： Lars Schnetter

IPC分类号： C04B35/115 ,  C04B35/443 ,  C04B35/645

CPC分类号： C04B35/115 ,  B01J2/16 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9653

摘要： A method for producing transparent ceramic objects having an RIT>10% in the wave length range of 300 nm to 4000 nm and a wall thickness of 2 mm. Said method consists of the following steps: producing a slip by dispersing a ceramic powder, the particle size of which is d50

摘要翻译： 在波长300nm〜4000nm，壁厚2mm的RIT> 10％的透明陶瓷物的制造方法。 所述方法包括以下步骤：通过分散粒度为d50 <5μm，优选5nm至500nm的陶瓷粉末来产生滑移; 通过流化床造粒从其滑移产生颗粒尺寸为d50 <1mm，优选在50μm和500μm之间，更优选在80μm和300μm之间; 以简单，非循环的方式挤压颗粒状材料以形成生坯体; 烧结生坯以形成烧结体; 并重新致密化烧结体。

公开(公告)号：US20140349117A1

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：US14287416

申请日：2014-05-27

申请人： Surmet Corporation

发明人： Suri A. Sastri

IPC分类号： C04B35/83 ,  B23B5/00 ,  C04B35/80 ,  B23B51/00

CPC分类号： C04B35/806 ,  B23B2224/08 ,  B23B2226/18 ,  B23B2228/61 ,  C04B35/581 ,  C04B35/634 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  Y10T428/30

摘要： The invention pertains to hardware such as cutting tools with improved performance, wear-resistance and durability made from sintered polycrystalline aluminum nitride based ceramic composites containing secondary or dispersed phases for enhanced toughness. The articles of this invention provide good hardness, toughness, chemical inertness, thermal stability, lubricity, wear-resistance, and the ability to operate in the presence of liquid coolants, yielding good surface finish and long lifetime. The cutting tools of this invention are applicable to a wide range of industrial, biomedical, commercial and other applications.

摘要翻译： 本发明涉及诸如具有改进的性能，耐磨性和由含有次级或分散相的多晶氮化铝基陶瓷复合材料制成的耐久性和耐久性的切削工具的硬件，以提高韧性。 本发明的制品具有良好的硬度，韧性，化学惰性，热稳定性，润滑性，耐磨性以及在液体冷却剂存在下操作的能力，产生良好的表面光洁度和长寿命。 本发明的切割工具可应用于广泛的工业，生物医学，商业和其他应用。

公开(公告)号：US20140319537A1

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：US14320988

申请日：2014-07-01

申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

发明人： JOERG MEYER ,  HANS-HELMUT BECHTEL ,  WALTER MAYR ,  PETER SCHMIDT ,  Baby-Seriyati SCHREINEMACHER ,  DETLEF UWE WIECHERT

IPC分类号： H01L33/50 ,  C09K11/77

CPC分类号： H01L33/502 ,  C01B21/0602 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/581 ,  C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/9646 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a white emitting light source with an improved luminescent material of the formula (AEN2/3)*b (MN)*c (SiN4/3)*d1 CeO3/2*d2 EuO*x SiO2*y AlO3/2 wherein AE is an alkaline earth metal chosen of the group of Ca, Mg, Sr and Ba or mixtures thereof and M is a trivalent element chosen of the group of Al, B, Ga, Sc with d1>10*d2. In combination with a UV to blue light generating device this material leads to an improved light quality and stability, especially an improved temperature stability for a wide range of applications.

摘要翻译： 本发明涉及具有式（AEN2 / 3）* b（MN）* c（SiN4 / 3）* d1 CeO3 / 2 * d2 EuO * xSi2 * y AlO3 / 2的改进的发光材料的白色发光光源 其中AE是选自Ca，Mg，Sr和Ba或其混合物的碱土金属，M是选自具有d1> 10 * d2的Al，B，Ga，Sc组的三价元素。 结合UV到蓝光产生装置，这种材料导致改进的光质量和稳定性，特别是对于广泛应用的改进的温度稳定性。

公开(公告)号：US08865291B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13469219

申请日：2012-05-11

申请人： Yoshinobu Goto

发明人： Yoshinobu Goto

IPC分类号： B32B3/00 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00 ,  C22C29/16 ,  C22C29/06 ,  C04B41/87 ,  C04B41/50 ,  C22C29/12 ,  C04B41/00

CPC分类号： C04B41/5032 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/87 ,  C22C29/065 ,  C22C29/12 ,  C22C29/16 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/24612 ,  C04B35/10 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B41/4527

摘要： A plasma-resistant member according to the present invention includes a base member formed of a silicon nitride sintered body, an aluminum nitride sintered body, an alumina sintered body, or a silicon carbide sintered body; and a thin film formed on a surface of the base member and composed of an yttrium compound or a spinel, wherein the thin film has, in a surface of the thin film, a plurality of projections for supporting a wafer, and a ratio a2/a1 of a film thickness a2 of portions of the thin film that include the projections to a film thickness a1 of portions of the thin film that do not include the projections satisfies 1

摘要翻译： 根据本发明的等离子体阻挡构件包括由氮化硅烧结体，氮化铝烧结体，氧化铝烧结体或碳化硅烧结体形成的基底构件; 以及形成在所述基底构件的表面上并由钇化合物或尖晶石构成的薄膜，其中所述薄膜在所述薄膜的表面中具有用于支撑晶片的多个突起，并且比率a2 / 将不包括突起的薄膜部分的膜厚a1的突起部分的薄膜部分的膜厚度a1的a1分别满足1

公开(公告)号：US08791566B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US13259222

申请日：2010-02-05

申请人： Haruhiko Yamaguchi ,  Yoshiyuki Fukuda

发明人： Haruhiko Yamaguchi ,  Yoshiyuki Fukuda

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  C04B35/581 ,  H01L23/15 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/706 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H05K1/0306 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides an aluminum nitride substrate and an aluminum nitride circuit board having excellent insulation characteristics and heat dissipation properties and having high strength, a semiconductor apparatus, and a method for manufacturing an aluminum nitride substrate.An aluminum nitride substrate according to the present invention is an aluminum nitride substrate having aluminum nitride as a main component and comprising a polycrystal containing a plurality of aluminum nitride grains, and complex oxide grains being present at grain boundaries of the aluminum nitride grains and including a rare earth element and aluminum, wherein the aluminum nitride grains have a maximum grain size of 10 μm or less, the complex oxide grains have a maximum grain size smaller than the maximum grain size of the aluminum nitride grains, the number of the complex oxide grains having a grain size of 1 μm or more being present in a field of view of 100 μm×100 μm of a surface of the aluminum nitride substrate observed is 40 or more, the aluminum nitride substrate has a bending strength of 400 MPa or more in an unpolished state after firing, and the aluminum nitride substrate has a volume resistivity of 1012 Ωm or more.

摘要翻译： 本发明提供一种氮化铝衬底和具有优异的绝缘特性和散热性能并且具有高强度的氮化铝电路板，半导体装置和用于制造氮化铝衬底的方法。 本发明的氮化铝衬底是具有氮化铝作为主要成分的氮化铝衬底，包括含有多个氮化铝颗粒的多晶体，复合氧化物晶粒存在于氮化铝晶粒的晶界处，并且包括 稀土元素和铝，其中，氮化铝粒子的最大粒径为10μm以下，复合氧化物粒子的最大粒径比氮化铝粒子的最大粒径小，复合氧化物粒子数 在观察到的氮化铝衬底的表面的100μm×100μm的视野内存在1μm以上的粒径为40以上，氮化铝衬底的弯曲强度为400MPa以上 烧成后的未抛光状态，氮化铝衬底的体积电阻率为1012Ω·cm以上。

公开(公告)号：US20140206522A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US14221717

申请日：2014-03-21

申请人： NGK Insulators, Ltd.

发明人： Shinsuke YANO ,  Yoshihiro TANAKA ,  Tsutomu NANATAKI ,  Hirofumi YAMAGUCHI ,  Natsumi SHIMOGAWA ,  Naoto OHIRA

IPC分类号： C03C10/00

CPC分类号： C03C10/0045 ,  C03C3/064 ,  C03C3/066 ,  C03C3/085 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C14/00 ,  C04B35/18 ,  C04B35/565 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H05K1/03 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0209

摘要： An easily-administered technology which demonstrates the intrinsic thermal conductivity improvement effect by addition of non-oxide system compound crystal phase (filler particles) and makes it possible to sufficiently raise the thermal conductivity of a glass-ceramics composite material is provided. In the glass phase which constitutes a glass-ceramics composite material, the quantity of aluminum oxide (Al2O3) component is increased under a condition where at least either of zinc oxide (ZnO) component or magnesium oxide (MgO) component exists in a predetermined quantity or more. Thereby, the unintended reaction between a non-oxide system compound crystal phase and a glass phase can be suppressed, and the intrinsic thermal conductivity improvement effect by addition of non-oxide system compound crystal phase (filler particles) can be demonstrated.

摘要翻译： 提供了通过添加非氧化物系化合物结晶相（填料粒子）表现出固有导热性提高效果的易于施用的技术，并且可以充分提高玻璃 - 陶瓷复合材料的热导率。 在构成玻璃 - 陶瓷复合材料的玻璃相中，在氧化锌（ZnO）成分或氧化镁（MgO）成分中的至少任一种以规定量存在的条件下，氧化铝（Al 2 O 3）成分的量增加 或者更多。 因此，可以抑制非氧化物系化合物结晶相与玻璃相之间的非预期反应，并且可以证明通过添加非氧化物系化合物结晶相（填料颗粒）的固有导热性改善效果。

公开(公告)号：US08766274B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13324261

申请日：2011-12-13

申请人： Spalding Craft ,  Baxter Moody ,  Rafael Dalmau ,  Raoul Schlesser

发明人： Spalding Craft ,  Baxter Moody ,  Rafael Dalmau ,  Raoul Schlesser

IPC分类号： H01L31/0256 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： C04B35/581 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/366 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02538 ,  H01L33/0075

摘要： Disclosed are methods and materials useful in the preparation of semiconductor devices. In particular embodiments, disclosed are methods for engineering polycrystalline aluminum nitride substrates that are thermally matched to further materials that can be combined therewith. For example, the polycrystalline aluminum nitride substrates can be engineered to have a coefficient of thermal expansion (CTE) that is closely matched to the CTE of a semiconductor material and/or to a material that can be used as a growth substrate for a semiconductor material. The invention also encompasses devices incorporating such thermally engineered substrates and semiconductor materials grown using such thermally engineered substrates. The thermally engineered substrates are advantageous for overcoming problems caused by damage arising from CTE mismatch between component layers in semiconductor preparation methods and materials.

摘要翻译： 公开了用于制备半导体器件的方法和材料。 在具体实施方案中，公开了用于工程化多晶氮化铝衬底的方法，其与可与其组合的其它材料热匹配。 例如，多晶氮化铝衬底可被设计成具有与半导体材料的CTE密切匹配的热膨胀系数（CTE）和/或可用作半导体材料的生长衬底的材料 。 本发明还包括结合这样的热工程衬底和使用这种热工程衬底生长的半导体材料的器件。 热工程衬底有利于克服由半导体制备方法和材料中的组分层之间的CTE失配引起的损伤所引起的问题。

公开(公告)号：US20140174633A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US14116922

申请日：2012-05-25

申请人： ELEMENT SIX LIMITED

发明人： Stig Ake Andersin ,  Bernd Heinrich Ries ,  Frank Friedrich Lachmann ,  Lars-Ivar Nilsson

IPC分类号： C04B37/00

CPC分类号： C04B37/003 ,  B22F2005/001 ,  C04B35/52 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/58021 ,  C04B35/581 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/021 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/401 ,  C04B2237/706 ,  C22C26/00 ,  E21B10/46

摘要： A method for making a treated super-hard structure, the method including providing a super-hard structure comprising super-hard material selected from polycrystalline cubic boron nitride (PCBN) material or thermally stable polycrystalline diamond (PCD) material; subjecting the super-hard structure to heat treatment at a treatment temperature of greater than 700 degrees centigrade at a treatment pressure at which the super-hard material is not thermodynamically stable, for a treatment period of at least about 5 minutes to produce the treated super-hard structure.

摘要翻译： 一种制备经处理的超硬结构的方法，所述方法包括提供包含选自多晶立方氮化硼（PCBN）材料或热稳定多晶金刚石（PCD））材料的超硬材料的超硬结构; 在超硬材料不是热力学稳定的处理压力下，在超过700摄氏度的处理温度下对超硬结构进行热处理，处理时间为至少约5分钟，以生产经处理的超级 硬体结构。