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公开(公告)号：CN101353810B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200810212837.7
申请日：2003-04-08
Applicant: ACM研究公司
Inventor： 王晖 , 沃哈·纳持 , 费利克斯·古特曼 , 穆罕默德·阿夫南 , 希曼舒·J·乔克什 , 马克·J·范柯克威科 , 戴蒙·L·克勒 , 佩奥尔·伊 , 麦·H·源 , 张如皋 , 弗雷德里克·霍
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6708 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/67051 , H01L21/67769 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行清洗的方法及装置。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。
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公开(公告)号：CN101233607A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200380105515.8
申请日：2003-12-09
Applicant: ACM研究公司
IPC: H01L21/461 , C25D5/02 , B23H11/00
CPC classification number: B24B37/042 , B24B47/22 , B24B49/04
Abstract: 一种用于电抛光和/或电镀半导体晶片上金属层的装置，包括含有多个分段壁的一个托座。该装置包括一个晶片卡盘，配置为夹住半导体晶片并在托座中定位半导体晶片，使得半导体晶片的一个表面靠近多个分段壁的顶部。该装置还包括第一多个传感器，配置为测量多个分段壁中一个的中心到晶片卡盘中心之间的对准，这样就测量了半导体晶片的中心。
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公开(公告)号：CN1290310A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN99802920.3
申请日：1999-01-15
Applicant: ACM研究公司
Inventor： 王晖
IPC: C25D5/02 , C25D5/08 , C25D5/18 , C25D21/12 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/48
CPC classification number: C25D5/18 , C25D5/026 , C25D5/08 , C25D21/12 , H01L21/4846
Abstract: 一种在其上有阻挡层的基片上直接电镀导电膜的设备,包括:置于管(109)内的阳极棒(1)、分别放在圆柱壁(107,105)、(103,101)之间的阳极环(2和3)。阳极(1,2,3)分别由电源(13,12,11)供电。电解液(34)由泵(33)抽出通过过滤器(32)并到达液体质量流量控制器(LMFC)(21,22,23)的入口。然后LMFC(21,22,23)分别以设定的流量输送电解液到包含阳极(3,2,1)的子电镀槽。在流过晶片(31)和圆柱壁(101,103,105,107和109)顶部之间的间隙之后,电解液分别通过圆柱壁(100,101)、(103,105)、(107,109)之间的空间流回容器(36)。压力泄漏阀(38)置于泵(33)出口和电解液池(36)之间,当LMFC(21,22,23)关闭时使电解液排回电解液池(36)。由晶片夹盘(29)固定的晶片(31)连接到电源(11,12,13)。驱动机构(30)用于绕z轴旋转晶片(31)并在所示x、y、z方向振荡晶片。过滤器(32)过滤大于0.1或0.2μm的颗粒以便获得低颗粒填充的电镀工艺。
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公开(公告)号：CN1685086B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN03808166.0
申请日：2003-04-11
Applicant: ACM研究公司
IPC: C25D5/00 , C25D5/48 , C25D5/52 , C25D5/08 , B23H11/00 , B23H3/00 , B23H5/00 , B23H7/00 , B23H9/00
CPC classification number: C25D3/02 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76877
Abstract: 在本发明的一个方案中，提供了示例性方法以在晶片上电镀导电膜。方法包括第一密度的凹槽区上金属层平坦之前在第一电流密度范围内在具有凹槽区和非凹槽区上的半导体结构上电镀金属层，凹槽区上的金属层平坦之后在第二电流密度范围内电镀。第二电流密度范围大于第一电流密度范围。在一个例子中，方法还包括在第二电流密度范围内电镀直到第二密度的凹槽区之上的金属层平坦，第二密度大于第一密度，此后在第三电流密度范围内电镀。
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公开(公告)号：CN100514581C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200380105515.8
申请日：2003-12-09
Applicant: ACM研究公司
IPC: H01L21/461 , C25D5/02 , B23H11/00
CPC classification number: B24B37/042 , B24B47/22 , B24B49/04
Abstract: 一种用于电抛光和/或电镀半导体晶片上金属层的装置，包括含有多个分段壁的一个托座。该装置包括一个晶片卡盘，配置为夹住半导体晶片并在托座中定位半导体晶片，使得半导体晶片的一个表面靠近多个分段壁的顶部。该装置还包括第一多个传感器，配置为测量多个分段壁中一个的中心到晶片卡盘中心之间的对准，这样就测量了半导体晶片的中心。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100419963C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02816119.X
申请日：2002-08-15
Applicant: ACM研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/4763 , H01L23/48 , H01L23/52
CPC classification number: C25F3/16 , B23H5/08 , B24B37/04 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/7684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。
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公开(公告)号：CN1585835A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822586.4
申请日：2002-11-13
Applicant: ACM研究公司
CPC classification number: H01L21/6708 , B23H3/00 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明公开了一种用于对晶片上的导电薄膜执行电解抛光的设备和方法。电解抛光设备包括：一用于保持晶片的晶片夹盘、一用于转动夹盘的致动器、一被设计成对晶片执行电解抛光的喷嘴、以及一环绕着晶片边缘的护套。电解抛光方法包括操作：以足够的速度转动晶片夹盘，从而使得喷射到晶片上的电解液能在晶片表面上流向其边缘。
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公开(公告)号：CN1543668A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02816119.X
申请日：2002-08-15
Applicant: ACM研究公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/4763 , H01L23/48 , H01L23/52
CPC classification number: C25F3/16 , B23H5/08 , B24B37/04 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/7684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。
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公开(公告)号：CN101577247A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910149102.9
申请日：2001-09-18
Applicant: ACM研究公司
Inventor： 王晖
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76835 , C25F3/02 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L2221/1036
Abstract: 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。
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公开(公告)号：CN1685086A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03808166.0
申请日：2003-04-11
Applicant: ACM研究公司
IPC: C25D5/00 , C25D5/48 , C25D5/52 , C25D5/08 , B23H11/00 , B23H3/00 , B23H5/00 , B23H7/00 , B23H9/00
CPC classification number: C25D3/02 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76877
Abstract: 在本发明的一个方案中，提供了示例性方法以在晶片上电镀导电膜。方法包括第一密度的凹槽区上金属层平坦之前在第一电流密度范围内在具有凹槽区和非凹槽区上的半导体结构上电镀金属层，凹槽区上的金属层平坦之后在第二电流密度范围内电镀。第二电流密度范围大于第一电流密度范围。在一个例子中，方法还包括在第二电流密度范围内电镀直到第二密度的凹槽区之上的金属层平坦，第二密度大于第一密度，此后在第三电流密度范围内电镀。
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