公开(公告)号：CN101353810B

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN200810212837.7

申请日：2003-04-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  沃哈·纳持 ,  费利克斯·古特曼 ,  穆罕默德·阿夫南 ,  希曼舒·J·乔克什 ,  马克·J·范柯克威科 ,  戴蒙·L·克勒 ,  佩奥尔·伊 ,  麦·H·源 ,  张如皋 ,  弗雷德里克·霍

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行清洗的方法及装置。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。

公开(公告)号：CN1653211A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810206.4

申请日：2003-04-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  沃哈·纳持 ,  费利克斯·古特曼 ,  穆罕默德·阿夫南 ,  希曼舒·J·乔克什 ,  马克·J·范柯克威科 ,  戴蒙·L·克勒 ,  佩奥尔·伊 ,  麦·H·源 ,  张如皋 ,  弗雷德里克·霍

IPC: C25D5/48 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。

公开(公告)号：CN100419963C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02816119.X

申请日：2002-08-15

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 姚向宇 ,  张如皋 ,  易培豪 ,  王晖

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: C25F3/16 ,  B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。

公开(公告)号：CN1543668A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02816119.X

申请日：2002-08-15

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 姚向宇 ,  张如皋 ,  易培豪 ,  王晖

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: C25F3/16 ,  B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。

公开(公告)号：CN101353810A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810212837.7

申请日：2003-04-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  沃哈·纳持 ,  费利克斯·古特曼 ,  穆罕默德·阿夫南 ,  希曼舒·J·乔克什 ,  马克·J·范柯克威科 ,  戴蒙·L·克勒 ,  佩奥尔·伊 ,  麦·H·源 ,  张如皋 ,  弗雷德里克·霍

IPC: C25D5/48 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。

公开(公告)号：CN100430526C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN03810206.4

申请日：2003-04-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  沃哈·纳持 ,  费利克斯·古特曼 ,  穆罕默德·阿夫南 ,  希曼舒·J·乔克什 ,  马克·J·范柯克威科 ,  戴蒙·L·克勒 ,  佩奥尔·伊 ,  麦·H·源 ,  张如皋 ,  弗雷德里克·霍

IPC: C25D5/48 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。