-
公开(公告)号：CN101353810B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200810212837.7
申请日：2003-04-08
Applicant: ACM研究公司
Inventor： 王晖 , 沃哈·纳持 , 费利克斯·古特曼 , 穆罕默德·阿夫南 , 希曼舒·J·乔克什 , 马克·J·范柯克威科 , 戴蒙·L·克勒 , 佩奥尔·伊 , 麦·H·源 , 张如皋 , 弗雷德里克·霍
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/6708 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/67051 , H01L21/67769 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行清洗的方法及装置。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1653211A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810206.4
申请日：2003-04-08
Applicant: ACM研究公司
Inventor： 王晖 , 沃哈·纳持 , 费利克斯·古特曼 , 穆罕默德·阿夫南 , 希曼舒·J·乔克什 , 马克·J·范柯克威科 , 戴蒙·L·克勒 , 佩奥尔·伊 , 麦·H·源 , 张如皋 , 弗雷德里克·霍
CPC classification number: H01L21/6708 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/67051 , H01L21/67769 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。
-
公开(公告)号：CN1585835A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822586.4
申请日：2002-11-13
Applicant: ACM研究公司
CPC classification number: H01L21/6708 , B23H3/00 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明公开了一种用于对晶片上的导电薄膜执行电解抛光的设备和方法。电解抛光设备包括：一用于保持晶片的晶片夹盘、一用于转动夹盘的致动器、一被设计成对晶片执行电解抛光的喷嘴、以及一环绕着晶片边缘的护套。电解抛光方法包括操作：以足够的速度转动晶片夹盘，从而使得喷射到晶片上的电解液能在晶片表面上流向其边缘。
-
公开(公告)号：CN100497748C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN02822586.4
申请日：2002-11-13
Applicant: ACM研究公司
CPC classification number: H01L21/6708 , B23H3/00 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明公开了一种用于对晶片上的导电薄膜执行电解抛光的设备和方法。电解抛光设备包括：一用于保持晶片的晶片夹盘、一用于转动夹盘的致动器、一被设计成对晶片执行电解抛光的喷嘴、以及一环绕着晶片边缘的护套。电解抛光方法包括操作：以足够的速度转动晶片夹盘，从而使得喷射到晶片上的电解液能在晶片表面上流向其边缘。
-
公开(公告)号：CN101353810A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810212837.7
申请日：2003-04-08
Applicant: ACM研究公司
Inventor： 王晖 , 沃哈·纳持 , 费利克斯·古特曼 , 穆罕默德·阿夫南 , 希曼舒·J·乔克什 , 马克·J·范柯克威科 , 戴蒙·L·克勒 , 佩奥尔·伊 , 麦·H·源 , 张如皋 , 弗雷德里克·霍
CPC classification number: H01L21/6708 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/67051 , H01L21/67769 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。
-
公开(公告)号：CN100430526C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN03810206.4
申请日：2003-04-08
Applicant: ACM研究公司
Inventor： 王晖 , 沃哈·纳持 , 费利克斯·古特曼 , 穆罕默德·阿夫南 , 希曼舒·J·乔克什 , 马克·J·范柯克威科 , 戴蒙·L·克勒 , 佩奥尔·伊 , 麦·H·源 , 张如皋 , 弗雷德里克·霍
CPC classification number: H01L21/6708 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25F7/00 , H01L21/2885 , H01L21/67051 , H01L21/67769 , H01L21/6838 , H01L21/68707
Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.014 seconds)
