公开(公告)号：CN100419963C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02816119.X

申请日：2002-08-15

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 姚向宇 ,  张如皋 ,  易培豪 ,  王晖

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: C25F3/16 ,  B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。

公开(公告)号：CN1543668A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN02816119.X

申请日：2002-08-15

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 姚向宇 ,  张如皋 ,  易培豪 ,  王晖

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: C25F3/16 ,  B23H5/08 ,  B24B37/04 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种平面化和电抛光半导体结构上的导电层的方法，包括在半导体晶片上形成具有凹槽区和非凹槽区的介质层。在介质层上形成导电层，以覆盖凹槽区和非凹槽区。然后平面化导电层的表面，以减小表面形貌的变化。然后电解抛光经平面化的导电层，以暴露出非凹槽区。