公开(公告)号：CN1685086B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN03808166.0

申请日：2003-04-11

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  王坚 ,  易培豪 ,  吴辉全

IPC: C25D5/00 ,  C25D5/48 ,  C25D5/52 ,  C25D5/08 ,  B23H11/00 ,  B23H3/00 ,  B23H5/00 ,  B23H7/00 ,  B23H9/00

CPC classification number: C25D3/02 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877

Abstract: 在本发明的一个方案中，提供了示例性方法以在晶片上电镀导电膜。方法包括第一密度的凹槽区上金属层平坦之前在第一电流密度范围内在具有凹槽区和非凹槽区上的半导体结构上电镀金属层，凹槽区上的金属层平坦之后在第二电流密度范围内电镀。第二电流密度范围大于第一电流密度范围。在一个例子中，方法还包括在第二电流密度范围内电镀直到第二密度的凹槽区之上的金属层平坦，第二密度大于第一密度，此后在第三电流密度范围内电镀。

公开(公告)号：CN1685086A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03808166.0

申请日：2003-04-11

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  王坚 ,  易培豪 ,  吴辉全

IPC: C25D5/00 ,  C25D5/48 ,  C25D5/52 ,  C25D5/08 ,  B23H11/00 ,  B23H3/00 ,  B23H5/00 ,  B23H7/00 ,  B23H9/00

CPC classification number: C25D3/02 ,  C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877

Abstract: 在本发明的一个方案中，提供了示例性方法以在晶片上电镀导电膜。方法包括第一密度的凹槽区上金属层平坦之前在第一电流密度范围内在具有凹槽区和非凹槽区上的半导体结构上电镀金属层，凹槽区上的金属层平坦之后在第二电流密度范围内电镀。第二电流密度范围大于第一电流密度范围。在一个例子中，方法还包括在第二电流密度范围内电镀直到第二密度的凹槽区之上的金属层平坦，第二密度大于第一密度，此后在第三电流密度范围内电镀。