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公开(公告)号：CN103262227B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180056766.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/4885 , B22F7/08 , B23K1/0016 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2101/40 , B81C1/00095 , B81C1/00373 , B81C2201/0188 , B81C2201/0194 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及转印用基板，该转印用基板由基板、形成于所述基板上的至少一种金属布线材料、和形成于所述基板与所述金属布线材料之间的衬底金属膜构成，用于将所述金属布线材料转印至被转印物，其中，所述金属布线材料为将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的金粉等烧结而成的成形体，所述衬底金属膜由金等金属或合金形成。该转印用基板即使将被转印物的加热温度设为80～300℃也可以将金属布线材料转印至被转印物。
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公开(公告)号：CN103959448A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280056612.1
申请日：2012-11-08
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: H01L21/4814 , B22F7/08 , B23K35/007 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/322 , B23K2035/008 , B23K2101/40 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C23C18/165 , C25D7/00 , H01L21/71 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/03003 , H01L2224/031 , H01L2224/0312 , H01L2224/03334 , H01L2224/0401 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/0567 , H01L2224/05671 , H01L2224/05673 , H01L2224/05676 , H01L2224/05678 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2224/11003 , H01L2224/111 , H01L2224/1112 , H01L2224/11334 , H01L2224/11505 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13181 , H01L2224/13184 , H01L2224/94 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/12056 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种转印用基板，包括基板、形成在所述基板上的至少一个金属配线原料、形成在所述金属配线原料的表面上的至少1层的覆盖层、形成在所述基板与所述金属配线原料之间的基底金属膜，用于使所述金属配线原料向被转印物转印，其中，所述金属配线原料是将纯度99.9重量％以上、平均粒径0.01μm～1.0μm的金粉等的金属粉末烧结而成的成形体，所述覆盖层是金等的规定的金属或合金，由与所述金属配线原料不同的组成的金属或合金构成，且其总厚度为1μm以下，所述基底金属膜由金等的规定的金属或合金构成。本发明的转印用基板在通过转印法在被转印物形成金属配线时，能够降低被转印物侧的加热温度。
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公开(公告)号：CN114206525B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202080054638.7
申请日：2020-07-20
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: B22F1/05 , B22F1/107 , B22F7/06 , H01L21/288 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及包含纯度99.9质量％以上的金且平均粒径为0.01μm以上且1.0μm以下的金粉末。该金粉末的特征在于，氯离子的含量为100ppm以下，并且氰根离子的含量为10ppm以上且1000ppm以下。氯离子的含量与氰根离子的含量的合计优选为110ppm以上且1000ppm以下。本发明的金粉末使作为杂质的氯离子量优化并且对接合等各种加工工艺的适应性优良。另外，应用该金粉末的金糊适合用于半导体芯片的贴片等接合用途、半导体封装体的密封用途、电极/布线形成等各种用途。
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公开(公告)号：CN107408535A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580078557.X
申请日：2015-08-18
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种封装体的制造方法，其包括通过将形成有密封材料的一对基板叠合并进行接合而将由所述密封材料围成的密封区域的内部进行气密密封的工序。在本发明中，作为密封材料，使用由通过将纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的选自金、银、钯、铂中的一种以上的金属粉末进行烧结而得到的烧结体形成的材料，在基板上形成有至少一个在断面形状中具有比所述密封材料的宽度更窄的宽度且从周围突出的芯材，将所述一对基板接合时，所述芯材将所述密封材料压缩从而发挥密封效果。由此，能够在降低对基板的加压力的同时发挥充分的密封效果。
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公开(公告)号：CN105723506A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201480061896.2
申请日：2014-11-10
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: B81C1/00301 , B23K20/023 , B81B7/007 , B81B2207/095 , B81C2203/037 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种设置于具有贯通孔的基板上的贯通电极，所述贯通电极包含贯通所述贯通孔的贯通部、在所述贯通部的至少一端形成且比贯通电极更宽广的凸状凸块部和在所述凸状凸块部的与所述基板的接触面上形成的至少一层的金属膜，所述贯通电极部和所述凸状凸块部由通过将选自纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的金、银、钯、铂中的一种以上金属粉末烧结而成的烧结体形成，所述金属膜由纯度为99.9重量％以上的金、银、钯、铂中的任一种构成。本发明的贯通电极对于多层结构的电路基板是有用的，其能够缩短MEMS等元件的布线长度，并且还能够应对气密密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104205312A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017110.2
申请日：2013-03-21
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , B22F1/0074 , B22F1/025 , B23K1/203 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/226 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K35/322 , B23K2101/40 , H01B1/22 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/11312 , H01L2224/11318 , H01L2224/1132 , H01L2224/11416 , H01L2224/13294 , H01L2224/13339 , H01L2224/13347 , H01L2224/13364 , H01L2224/13444 , H01L2224/16227 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29444 , H01L2224/32225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/8184 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83444 , H01L2224/8384 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01203 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明为一种导电性糊，其为由金属粉末和有机溶剂构成的芯片接合用导电性糊，其中，所述金属粉末由选自纯度为99.9质量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的银粉、钯粉、铜粉中的一种以上的金属粒子和包覆所述金属粒子的至少一部分的由金构成的包覆层构成。根据本发明的导电性糊，在将半导体元件等往衬底上进行芯片接合时，能够抑制在接合部产生空隙等缺陷。
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公开(公告)号：CN102687396A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059290.7
申请日：2010-04-28
Applicant: 日本电波工业株式会社 , 田中贵金属工业株式会社
IPC: H03H9/19
CPC classification number: H03H9/0547 , H03H9/1021 , H03H9/132
Abstract: 本发明提供能够使振子的制造时不均性及耐老化性比Au良好、成本比Au低的电极材料。本发明为振子用电极材料，其由Au和两种金属M1、M2形成的三元类合金构成，用作在压电片中激发振动的激励电极，其中上述两种金属M1、M2为以下金属：(a)金属M1：压电振子的频率经时特性(Δf1/f1)相对于基准值f1有减小的倾向的金属；(b)金属M2：压电振子的频率经时特性(Δf1/f1)相对于基准值f1有增加的倾向的金属。优选金属M1为Ag、Al、Ni，金属M2为Pd、Ru、Pt、Ir、Rh、Cu。
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公开(公告)号：CN110506329B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880024591.2
申请日：2018-04-04
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种密封构造，包括：一组基材，形成密封空间；贯通孔，与密封空间连通；以及密封部件，对贯通孔进行密封。在形成有贯通孔的基材的表面上形成由金等块状金属构成的基底金属膜，所述密封部件接合于基底金属膜并对贯通孔进行密封。该密封部件由密封材料和盖状金属膜构成，所述密封材料接合于基底金属膜，由纯度99.9质量％以上的由金构成的金属粉末的压缩体构成，所述盖状金属膜包含金，厚度为0.01μm以上且5μm以下，由块状金属构成。并且，密封材料由与基底金属膜接触的外周侧的致密化区域和与贯通孔接触的中心侧的多孔质区域构成。而且，对致密化区域内的空孔的形状进行规定，空孔的径向的水平长度(l)与致密化区域的宽度(W)之间的关系为l≤0.1W。
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公开(公告)号：CN109075127A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024418.8
申请日：2017-04-06
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种密封结构，包括形成密封空间的一组基材、形成于至少一个基材并与密封空间连通的贯通孔、将贯通孔密封的密封构件。在本发明中，在形成有贯通孔的基材的表面上具备由金等的块状金属构成的基底金属膜。并且，密封构件接合于基底金属膜并将所述贯通孔密封，密封构件由密封材料及盖状金属膜构成，所述密封材料接合于基底金属膜并由纯度99.9质量％以上的金等的金属粉末的压缩体构成，所述盖状金属膜接合于密封材料且由金等的块状金属构成。此外，密封材料由与基底金属膜相接的外周侧的致密化区域和与贯通孔相接的中心侧的多孔质区域构成。该致密化区域的任意截面的空隙率以面积率计成为10％以下。
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公开(公告)号：CN105723506B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201480061896.2
申请日：2014-11-10
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种设置于具有贯通孔的基板上的贯通电极，所述贯通电极包含贯通所述贯通孔的贯通部、在所述贯通部的至少一端形成且比贯通电极更宽广的凸状凸块部和在所述凸状凸块部的与所述基板的接触面上形成的至少一层的金属膜，所述贯通电极部和所述凸状凸块部由通过将选自纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的金、银、钯、铂中的一种以上金属粉末烧结而成的烧结体形成，所述金属膜由纯度为99.9重量％以上的金、银、钯、铂中的任一种构成。本发明的贯通电极对于多层结构的电路基板是有用的，其能够缩短MEMS等元件的布线长度，并且还能够应对气密密封。
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