公开(公告)号：CN104205312A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380017110.2

申请日：2013-03-21

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 ,  盐屋晶和 ,  宫入正幸

IPC: H01L21/52 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22

CPC classification number: H01L24/83 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B23K1/203 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/226 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/322 ,  B23K2101/40 ,  H01B1/22 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11416 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明为一种导电性糊，其为由金属粉末和有机溶剂构成的芯片接合用导电性糊，其中，所述金属粉末由选自纯度为99.9质量％以上、平均粒径为0.01μm～1.0μm的银粉、钯粉、铜粉中的一种以上的金属粒子和包覆所述金属粒子的至少一部分的由金构成的包覆层构成。根据本发明的导电性糊，在将半导体元件等往衬底上进行芯片接合时，能够抑制在接合部产生空隙等缺陷。