公开(公告)号：CN105723506A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480061896.2

申请日：2014-11-10

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 ,  村井博 ,  兼平幸男

IPC: H01L23/12 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/14

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B23K20/023 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/037 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种设置于具有贯通孔的基板上的贯通电极，所述贯通电极包含贯通所述贯通孔的贯通部、在所述贯通部的至少一端形成且比贯通电极更宽广的凸状凸块部和在所述凸状凸块部的与所述基板的接触面上形成的至少一层的金属膜，所述贯通电极部和所述凸状凸块部由通过将选自纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的金、银、钯、铂中的一种以上金属粉末烧结而成的烧结体形成，所述金属膜由纯度为99.9重量％以上的金、银、钯、铂中的任一种构成。本发明的贯通电极对于多层结构的电路基板是有用的，其能够缩短MEMS等元件的布线长度，并且还能够应对气密密封。

公开(公告)号：CN105723506B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201480061896.2

申请日：2014-11-10

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小柏俊典 ,  村井博 ,  兼平幸男

IPC: H01L23/12 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明涉及一种设置于具有贯通孔的基板上的贯通电极，所述贯通电极包含贯通所述贯通孔的贯通部、在所述贯通部的至少一端形成且比贯通电极更宽广的凸状凸块部和在所述凸状凸块部的与所述基板的接触面上形成的至少一层的金属膜，所述贯通电极部和所述凸状凸块部由通过将选自纯度为99.9重量％以上、平均粒径为0.005μm～1.0μm的金、银、钯、铂中的一种以上金属粉末烧结而成的烧结体形成，所述金属膜由纯度为99.9重量％以上的金、银、钯、铂中的任一种构成。本发明的贯通电极对于多层结构的电路基板是有用的，其能够缩短MEMS等元件的布线长度，并且还能够应对气密密封。