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公开(公告)号：CN107492547B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201710422664.0
申请日：2017-06-07
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/092
摘要： 本发明涉及半导体器件和通信电路。提供了一种能够降低在电感器中产生的噪声的影响的半导体器件和通信电路。根据实施例的半导体器件(100)包括：衬底(101)；第一电路(131)，该第一电路(131)被设置在衬底(101)的第一区域置在衬底(101)的第二区域(120)中，第二电路(132)可被配置为与第一电路(131)选择性地操作；第一电感器(113)，该第一电感器(113)设置在第二区域(120)中并与第一电路(131)相连；以及第二电感器(123)，该第二电感器(123)设置在第一区域(110)中并与第二电路(132)相连。(110)中；第二电路(132)，该第二电路(132)被设
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公开(公告)号：CN107452708B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201710333168.8
申请日：2017-05-12
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , G01R22/10 , G01R15/18
摘要： 本申请涉及半导体器件、电能测量仪器和半导体器件的制造方法。根据一个实施例，半导体器件包括Si衬底、形成在设置于Si衬底之上的布线层中的电感器和形成为围绕电感器的屏蔽件，其中屏蔽件包括在布线层中的其中形成电感器的层和该层之上的层中形成的金属以及在Si衬底和Si衬底之上的布线层之间形成的硅化物。
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公开(公告)号：CN107492547A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710422664.0
申请日：2017-06-07
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/092
CPC分类号： H04B1/44 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/552 , H01L23/585 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L28/10 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B2200/004 , H03B2200/0072 , H03B2201/025 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2203/45731 , H04B1/48 , H04B5/0081 , H01L27/0207 , H01L27/0922
摘要： 本发明涉及半导体器件和通信电路。提供了一种能够降低在电感器中产生的噪声的影响的半导体器件和通信电路。根据实施例的半导体器件(100)包括：衬底(101)；第一电路(131)，该第一电路(131)被设置在衬底(101)的第一区域(110)中；第二电路(132)，该第二电路(132)被设置在衬底(101)的第二区域(120)中，第二电路(132)可被配置为与第一电路(131)选择性地操作；第一电感器(113)，该第一电感器(113)设置在第二区域(120)中并与第一电路(131)相连；以及第二电感器(123)，该第二电感器(123)设置在第一区域(110)中并与第二电路(132)相连。
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公开(公告)号：CN105762141A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201510875921.7
申请日：2015-12-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/02164 , H01L21/31051 , H01L21/31055 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/768 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L23/58 , H01L28/10 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/92147 , H01L2224/92247 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L25/071 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/62
摘要： 本发明涉及一种制造半导体装置的方法。通过防止彼此面对的两个半导体芯片之间的介电击穿，实现半导体装置的可靠性提高。在制造第一半导体芯片和第二半导体芯片期间，执行将绝缘膜的上表面平坦化的过程。然后，第一半导体芯片和第二半导体芯片经由绝缘片材堆叠，并且使第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的绝缘膜彼此面对，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的线圈彼此磁耦合。
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公开(公告)号：CN108242443B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201711437613.1
申请日：2017-12-26
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8234
摘要： 本发明的半导体器件在区域1C中包括由SOI衬底的半导体层制成的顶部电极、由绝缘层制成的电容绝缘膜、由支撑板制成的底部电极、以及底部电极耦合到支撑板的引线部分(n型的高浓度杂质区域)。区域1B中的SOI晶体管形成在绝缘层(作为薄膜)之上的半导体层的主表面之上，并且可以通过向被布置在绝缘层的背面侧上的阱施加电压来调节阈值电压。
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公开(公告)号：CN108242443A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711437613.1
申请日：2017-12-26
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8234
摘要： 本发明的半导体器件在区域1C中包括由SOI衬底的半导体层制成的顶部电极、由绝缘层制成的电容绝缘膜、由支撑板制成的底部电极、以及底部电极耦合到支撑板的引线部分(n型的高浓度杂质区域)。区域1B中的SOI晶体管形成在绝缘层(作为薄膜)之上的半导体层的主表面之上，并且可以通过向被布置在绝缘层的背面侧上的阱施加电压来调节阈值电压。
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公开(公告)号：CN107452708A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710333168.8
申请日：2017-05-12
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , G01R22/10 , G01R15/18
CPC分类号： H01L23/5227 , G01R15/18 , G01R15/181 , G01R19/0092 , H01F17/0013 , H01F27/2804 , H01F27/34 , H01F41/041 , H01F2017/0073 , H01F2017/008 , H01F2017/0086 , H01F2027/2809 , H01L21/32053 , H01L21/32055 , H01L21/76224 , H01L23/5225 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L23/53271 , H01L23/552 , H01L29/0649 , G01R22/10 , H01L21/76838
摘要： 本申请涉及半导体器件、电能测量仪器和半导体器件的制造方法。根据一个实施例，半导体器件包括Si衬底、形成在设置于Si衬底之上的布线层中的电感器和形成为围绕电感器的屏蔽件，其中屏蔽件包括在布线层中的其中形成电感器的层和该层之上的层中形成的金属以及在Si衬底和Si衬底之上的布线层之间形成的硅化物。
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