公开(公告)号：CN105762141A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201510875921.7

申请日：2015-12-03

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 内田慎一 ,  藏本贵文 ,  黄俐昭

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/58 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L25/071 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/62

摘要： 本发明涉及一种制造半导体装置的方法。通过防止彼此面对的两个半导体芯片之间的介电击穿，实现半导体装置的可靠性提高。在制造第一半导体芯片和第二半导体芯片期间，执行将绝缘膜的上表面平坦化的过程。然后，第一半导体芯片和第二半导体芯片经由绝缘片材堆叠，并且使第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的绝缘膜彼此面对，使得第一半导体芯片和第二半导体芯片相应的线圈彼此磁耦合。