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公开(公告)号：CN101431075A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810174833.4
申请日：2008-11-07
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底(1)、形成到所述半导体衬底(1)的绝缘栅极晶体管(21)、形成到所述半导体衬底(1)的二极管(22)、以及形成到所述半导体衬底(1)的控制晶体管(ST1－ST3)。所述绝缘栅极晶体管(21)的第一电流端子在高电位侧耦合到所述二极管(22)的阴极。所述绝缘栅极晶体管(21)的第二电流端子在低电位侧耦合到所述二极管(22)的阳极(22a)。将所述控制晶体管(ST1－ST3)配置成，在所述二极管(22)传导电流时，通过降低所述绝缘栅极晶体管(21)的栅极端子的电位来使所述绝缘栅极晶体管(21)截止。
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公开(公告)号：CN102034743B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010502834.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/768 , H01L21/66
CPC classification number: G01B11/06 , G01B11/306 , H01L21/32115 , H01L21/7684 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/27 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , Y10T29/52 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法。所述方法包括：获取关于半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据；以及基于所述数据令变形装置(24、24a)使半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与表面部分(11c)之间的距离落入所需的切削量精度内。在使半导体衬底(11)变形时，使用多个致动器(24a)作为变形装置(24、24a)。所述多个致动器(24a)的间距设定为大于半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的波长的一半且小于或等于该波长。
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公开(公告)号：CN1400657A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127066.X
申请日：2002-07-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/36 , H01L21/301 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/33 , H01L21/565 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/10158 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡－基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。
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公开(公告)号：CN101431075B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200810174833.4
申请日：2008-11-07
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底(1)、形成到所述半导体衬底(1)的绝缘栅极晶体管(21)、形成到所述半导体衬底(1)的二极管(22)、以及形成到所述半导体衬底(1)的控制晶体管(ST1-ST3)。所述绝缘栅极晶体管(21)的第一电流端子在高电位侧耦合到所述二极管(22)的阴极。所述绝缘栅极晶体管(21)的第二电流端子在低电位侧耦合到所述二极管(22)的阳极(22a)。将所述控制晶体管(ST1-ST3)配置成，在所述二极管(22)传导电流时，通过降低所述绝缘栅极晶体管(21)的栅极端子的电位来使所述绝缘栅极晶体管(21)截止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097344A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010515003.0
申请日：2010-10-18
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/304 , H01L29/66333 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于制造半导体装置(10)的方法包括使用切削工具(30)切削树脂绝缘层(13)中形成于半导体衬底(11)的表面(11a)上的一部分。切削树脂绝缘层(13)的一部分包括切削树脂绝缘层(13)中具有其上布置了金属层(15)的表面的部分。切削树脂绝缘层(13)的部分以这种方式执行，即在树脂绝缘层(13)内部沿着切削工具(30)的刃部(30a)和刃部(30a)的周边部分的应力分布中，最大值的90％处的宽度不大于1.3μm。
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公开(公告)号：CN102034743A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010502834.4
申请日：2010-09-29
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/768 , H01L21/66
CPC classification number: G01B11/06 , G01B11/306 , H01L21/32115 , H01L21/7684 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L24/27 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , Y10T29/52 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法。所述方法包括：获取关于半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据；以及基于所述数据令变形装置(24、24a)使半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与表面部分(11c)之间的距离落入所需的切削量精度内。在使半导体衬底(11)变形时，使用多个致动器(24a)作为变形装置(24、24a)。所述多个致动器(24a)的间距设定为大于半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的波长的一半且小于或等于该波长。
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公开(公告)号：CN1267990C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN02127066.X
申请日：2002-07-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/36 , H01L21/301 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/33 , H01L21/565 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05624 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83815 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/10158 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡-基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。
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公开(公告)号：CN102044417B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201010292890.X
申请日：2010-09-25
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 在一种制造半导体设备的方法，电极层(2)形成于半导体基片(1)的表面上，并且树脂绝缘层(3)形成于半导体基片(1)的表面上以使得电极层(2)能由树脂绝缘层(3)覆盖。锥形孔(31)通过使用刀面角为零或负值的刀头(4)形成于绝缘层(3)中。锥形孔(31)具有由绝缘层(3)限定的开口、由电极层(2)限定的底部(21)、以及将开口(31)连接至底部(21)的侧壁(10)。刀头(4)的刀面角为零或负值。
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公开(公告)号：CN102044417A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010292890.X
申请日：2010-09-25
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 在一种制造半导体设备的方法，电极层(2)形成于半导体基片(1)的表面上，并且树脂绝缘层(3)形成于半导体基片(1)的表面上以使得电极层(2)能由树脂绝缘层(3)覆盖。锥形孔(31)通过使用刀面角为零或负值的刀头(4)形成于绝缘层(3)中。锥形孔(31)具有由绝缘层(3)限定的开口、由电极层(2)限定的底部(21)、以及将开口(31)连接至底部(21)的侧壁(10)。刀头(4)的刀面角为零或负值。
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