公开(公告)号：CN102034743A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010502834.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  加藤英寿 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B11/306 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/27 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  Y10T29/52 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法。所述方法包括：获取关于半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据；以及基于所述数据令变形装置(24、24a)使半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与表面部分(11c)之间的距离落入所需的切削量精度内。在使半导体衬底(11)变形时，使用多个致动器(24a)作为变形装置(24、24a)。所述多个致动器(24a)的间距设定为大于半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的波长的一半且小于或等于该波长。

公开(公告)号：CN102034743B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010502834.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  加藤英寿 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B11/306 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/27 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  Y10T29/52 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置(10)的金属电极(15)的形成方法。所述方法包括：获取关于半导体衬底(11)的表面部分(11c)的表面形状的数据；以及基于所述数据令变形装置(24、24a)使半导体衬底(11)变形，以使得切削平面(P)与表面部分(11c)之间的距离落入所需的切削量精度内。在使半导体衬底(11)变形时，使用多个致动器(24a)作为变形装置(24、24a)。所述多个致动器(24a)的间距设定为大于半导体衬底(11)的厚度分布的空间频率的波长的一半且小于或等于该波长。