公开(公告)号：CN102044417B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201010292890.X

申请日：2010-09-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  龟山美知夫 ,  深谷辉和 ,  加藤和人 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 在一种制造半导体设备的方法，电极层(2)形成于半导体基片(1)的表面上，并且树脂绝缘层(3)形成于半导体基片(1)的表面上以使得电极层(2)能由树脂绝缘层(3)覆盖。锥形孔(31)通过使用刀面角为零或负值的刀头(4)形成于绝缘层(3)中。锥形孔(31)具有由绝缘层(3)限定的开口、由电极层(2)限定的底部(21)、以及将开口(31)连接至底部(21)的侧壁(10)。刀头(4)的刀面角为零或负值。

公开(公告)号：CN102044417A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010292890.X

申请日：2010-09-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富坂学 ,  龟山美知夫 ,  深谷辉和 ,  加藤和人 ,  福田丰 ,  田井明 ,  赤松和夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 在一种制造半导体设备的方法，电极层(2)形成于半导体基片(1)的表面上，并且树脂绝缘层(3)形成于半导体基片(1)的表面上以使得电极层(2)能由树脂绝缘层(3)覆盖。锥形孔(31)通过使用刀面角为零或负值的刀头(4)形成于绝缘层(3)中。锥形孔(31)具有由绝缘层(3)限定的开口、由电极层(2)限定的底部(21)、以及将开口(31)连接至底部(21)的侧壁(10)。刀头(4)的刀面角为零或负值。