-
公开(公告)号：CN100570738C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200610071011.4
申请日：2006-03-30
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C8/12 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C11/4074 , G11C11/4096 , H01L24/50
Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101)，所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS)，并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113)，每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路，其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上，能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。
-
公开(公告)号：CN1665027A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410081801.1
申请日：2004-12-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/10
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片2叠层到叠层起来的多个半导体元件1的上面。在多个半导体元件1的下面，配置Si内插板3和树脂基板内插板4。Si内插板3配置在树脂内插板4与多个半导体元件1之间，厚度比半导体元件1的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板4的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件1的线膨胀系数的线膨胀系数。
-
公开(公告)号：CN1841551A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610071011.4
申请日：2006-03-30
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C8/12 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C11/4074 , G11C11/4096 , H01L24/50
Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101)，所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS)，并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113)，每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路，其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上，能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。
-
公开(公告)号：CN100411172C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410081801.1
申请日：2004-12-30
Applicant: 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/10
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/48 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片(2)叠层到叠层起来的多个半导体元件(1)的上面。在多个半导体元件(1)的下面，配置Si内插板(3)和树脂基板内插板(4)。Si内插板(3)配置在树脂内插板(4)与多个半导体元件(1)之间，厚度比半导体元件(1)的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板(4)的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件(1)的线膨胀系数的线膨胀系数。
-
公开(公告)号：CN1845325A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610073556.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06579 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011
Abstract: 本发明的层叠型半导体装置具有：底部基板，在端部形成将多个连接端子直线状排列的端子列，并具有将上述多个连接端子及外部端子电连接的布线图形；一个或多个半导体芯片，具有以和上述端子列大致平行的位置关系直线状排列的焊盘列，被层叠在上述底部基板上；和一个或多个内插基板，形成有包括多个布线的布线层，上述多个布线电连接上述焊盘列的焊盘和上述端子列的连接端子，被配置为彼此大致平行且大致等长。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100502631C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510072830.6
申请日：2005-05-20
Applicant: 日本电气株式会社 , 株式会社瑞萨东日本半导体 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H05K9/00
CPC classification number: G11C5/04 , H05K1/0218 , H05K9/0064
Abstract: 在存储模块中，参考电势连接构图置于高频信号线和/或从信号线的引线端延伸的延伸线上，以及用于覆盖半导体存储芯片的屏蔽盖置于衬底上，并且通过金属盖接触部件将参考电势连接构图连接到屏蔽盖。
-
公开(公告)号：CN100464419C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200610073556.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 尔必达存储器株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06551 , H01L2225/06579 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011
Abstract: 本发明的层叠型半导体装置具有：底部基板，在端部形成将多个连接端子直线状排列的端子列，并具有将上述多个连接端子及外部端子电连接的布线图形；一个或多个半导体芯片，具有以和上述端子列大致平行的位置关系直线状排列的焊盘列，被层叠在上述底部基板上；和一个或多个内插基板，形成有包括多个布线的布线层，上述多个布线电连接上述焊盘列的焊盘和上述端子列的连接端子，被配置为彼此大致平行且大致等长。
-
公开(公告)号：CN100345268C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510056050.2
申请日：2005-03-21
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H05K1/111 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73203 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01087 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K2201/09281 , H05K2201/094 , H05K2201/10734 , Y02P70/611 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体装置，具有：半导体封装件(2)；以及安装基板(5)，该安装基板(5)具有通过焊料突起(4)而与半导体封装件(2)电连接的焊盘(8)。安装基板(5)上形成了多个由多个焊盘(8)配置而成的列，构成位于分别离主边最近的一侧的列的焊盘(8)中的至少一个，具有从焊盘(8)沿着安装基板面延伸的布线(9)，主边构成了半导体封装件外缘。布线(9)按以下方式形成：与焊盘(8)对应的联络部位于与连接焊盘(8)的中心和半导体封装件(2)的中心的线段相比，靠近与该线段在焊盘(8)中心直交的线段的一侧。
-
公开(公告)号：CN1700850A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072830.6
申请日：2005-05-20
Applicant: 日本电气株式会社 , 株式会社瑞萨东日本半导体 , 尔必达存储器株式会社
IPC: H05K9/00
CPC classification number: G11C5/04 , H05K1/0218 , H05K9/0064
Abstract: 在存储模块中，参考电势连接构图置于高频信号线和/或从信号线的引线端延伸的延伸线上，以及用于覆盖半导体存储芯片的屏蔽盖置于衬底上，并且通过金属盖接触部件将参考电势连接构图连接到屏蔽盖。
-
公开(公告)号：CN1670936A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510056050.2
申请日：2005-03-21
Applicant: 尔必达存储器株式会社
CPC classification number: H05K1/111 , H01L21/563 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73203 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01087 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K2201/09281 , H05K2201/094 , H05K2201/10734 , Y02P70/611 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体装置，具有：半导体封装件(2)；以及安装基板(5)，该安装基板(5)具有通过焊料突起(4)而与半导体封装件(2)电连接的焊盘(8)。安装基板(5)上形成了多个由多个焊盘(8)配置而成的列，构成位于分别离主边最近的一侧的列的焊盘(8)中的至少一个，具有从焊盘(8)沿着安装基板面延伸的布线(9)，主边构成了半导体封装件外缘。布线(9)按以下方式形成：与焊盘(8)对应的联络部位于与连接焊盘(8)的中心和半导体封装件(2)的中心的线段相比，靠近与该线段在焊盘(8)中心直交的线段的一侧。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.046 seconds)
