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公开(公告)号：CN105990161A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510098282.8
申请日：2015-03-05
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/97
摘要： 本发明的实施方式提供一种可在压缩成形时使树脂不流动的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将安装衬底安装在上模具，所述安装衬底包含导线键合后的半导体元件；将预成形的树脂配置在下模具内；在所述上模具与所述下模具之间形成模腔，且加热所述预成形的树脂；以及将所述上模具压抵在所述预成形的树脂而成形；并且所述预成形的树脂是：令在上述预成形的树脂的角部，与相对于所述模腔的外形线为接近的端部的距离为LA，在上述预成形的树脂的边部，与相对于所述模腔的外形线为与最远的中央部的距离为LB，那么距离LB形成为大于距离LA。
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公开(公告)号：CN102891128B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210253477.1
申请日：2012-07-20
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/60 , G06K19/077
CPC分类号： G06K19/07732 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L23/49855 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H05K1/0259 , H05K1/0269 , H05K1/113 , H05K1/117 , H05K3/284 , H05K3/321 , H05K2201/09563 , H05K2201/0979 , H05K2201/09936 , H05K2201/10287 , H05K2203/1327 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体存储装置。根据实施例，一种半导体存储装置具有包括存储电路的存储器芯片、控制所述存储器芯片的控制器芯片，以及具有彼此相对的第一表面和第二表面的基板，在所述基板的所述第一表面上安装有所述控制器芯片。进一步地，所述半导体存储装置具有在所述基板的所述第二表面上形成的外部连接端子、以及包封所述存储器芯片、所述控制器芯片和所述基板的树脂，所述树脂包括彼此相对的第三表面和第四表面，并且具有仅在邻近所述基板的所述第二表面的所述第四表面上直接印刷的预定标记。
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公开(公告)号：CN102891128A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210253477.1
申请日：2012-07-20
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/60 , G06K19/077
CPC分类号： G06K19/07732 , H01L23/3107 , H01L23/49838 , H01L23/49855 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0655 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H05K1/0259 , H05K1/0269 , H05K1/113 , H05K1/117 , H05K3/284 , H05K3/321 , H05K2201/09563 , H05K2201/0979 , H05K2201/09936 , H05K2201/10287 , H05K2203/1327 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体存储装置。根据实施例，一种半导体存储装置具有包括存储电路的存储器芯片、控制所述存储器芯片的控制器芯片，以及具有彼此相对的第一表面和第二表面的基板，在所述基板的所述第一表面上安装有所述控制器芯片。进一步地，所述半导体存储装置具有在所述基板的所述第二表面上形成的外部连接端子、以及包封所述存储器芯片、所述控制器芯片和所述基板的树脂，所述树脂包括彼此相对的第三表面和第四表面，并且具有仅在邻近所述基板的所述第二表面的所述第四表面上直接印刷的预定标记。
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公开(公告)号：CN100440464C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610058497.8
申请日：2006-03-28
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/98 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： 一种层叠型半导体器件的制造方法，其包括如下工序：把第1半导体元件粘接在基板上；在成为第2半导体元件的半导体晶片的背面上粘贴复合膜。该复合膜是把厚度大于等于50μm并小于等于140μm、常温弹性率大于等于30MPa并小于等于120MPa的范围的切片膜、和厚度大于等于30μm、且固化前的常温弹性率大于等于500MPa并小于等于1200MPa的范围的粘接剂膜形成一体的膜；通过把半导体晶片与粘接剂膜一同进行分割，来制作第2半导体元件；从切片膜上拾取第2半导体元件，并粘接在上述第1半导体元件上；在粘接第2半导体元件时，利用来自第1半导体元件的辐射热和来自第1焊接导线的传导热使粘接剂层熔融，由此把第1焊接导线收置在粘接剂层内。
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公开(公告)号：CN101038891B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710088339.1
申请日：2007-03-16
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/022 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752
摘要： 在半导体晶片的背面层叠厚度超过25μm的粘接剂层和切割带。使用切入深度到达粘接剂层的第1刀具，一起切割半导体晶片和粘接剂层的一部分。使用切入深度到达切割带而且宽度小于第1刀具的第2刀具，一起切割粘接剂层和切割带的一部分。从切割带上拾取和粘接剂层一起将半导体晶片切割为单体的半导体元件，并粘接在其他半导体元件、电路基体材料等上。
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公开(公告)号：CN100423259C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510055475.1
申请日：2005-03-18
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/48992 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85399 , H01L2224/8592 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06568 , H01L2225/06575 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10162 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19106 , H01L2924/19107 , H01L2924/20752 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种叠层式电子部件，具备通过第1粘接层连接到电路基板上的第1电子部件，和通过第2粘接层连接到上述第1电子部件上的第2电子部件。在已连接到第1电子部件上的第1键合引线的下部空间内，填充有填充时黏度大于等于1Pa·s且小于1000Pa·s的绝缘性树脂或光硬化型绝缘性树脂。借助于此，就可以抑制起因于引线下部的树脂未填充部分的气泡的发生。此外，第1电子部件和第2电子部件，通过粘接时黏度大于等于1kPa·s且小于等于100kPa·s的绝缘性树脂层粘接起来。因此，可以防止起因于下边部分一侧的电子部件的键合引线与上边部分一侧的电子部件之间的接触的绝缘不良或短路等的发生。
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公开(公告)号：CN101038891A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088339.1
申请日：2007-03-16
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/78 , B28D5/022 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752
摘要： 在半导体晶片的背面层叠厚度超过25μm的粘接剂层和切割带。使用切入深度到达粘接剂层的第1刀具，一起切割半导体晶片和粘接剂层的一部分。使用切入深度到达切割带而且宽度小于第1刀具的第2刀具，一起切割粘接剂层和切割带的一部分。从切割带上拾取和粘接剂层一起将半导体晶片切割为单体的半导体元件，并粘接在其他半导体元件、电路基体材料等上。
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公开(公告)号：CN1841688A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610058497.8
申请日：2006-03-28
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/98 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： 一种层叠型半导体器件的制造方法，其包括如下工序：把第1半导体元件粘接在基板上；在成为第2半导体元件的半导体晶片的背面上粘贴复合膜。该复合膜是把厚度大于等于50μm并小于等于140μm、常温弹性率大于等于30MPa并小于等于120MPa的范围的切片膜、和厚度大于等于30μm、且固化前的常温弹性率大于等于500MPa并小于等于1200MPa的范围的粘接剂膜形成一体的膜；通过把半导体晶片与粘接剂膜一同进行分割，来制作第2半导体元件；从切片膜上拾取第2半导体元件，并粘接在上述第1半导体元件上；在粘接第2半导体元件时，利用来自第1半导体元件的辐射热和来自第1焊接导线的传导热使粘接剂层溶融，由此把第1焊接导线收置在粘接剂层内。
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公开(公告)号：CN1674280A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510055475.1
申请日：2005-03-18
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/48992 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85399 , H01L2224/8592 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06568 , H01L2225/06575 , H01L2225/06582 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10162 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19106 , H01L2924/19107 , H01L2924/20752 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种叠层式电子部件，具备通过第1粘接层连接到电路基板上的第1电子部件，和通过第2粘接层连接到上述第1电子部件上的第2电子部件。在已连接到第1电子部件上的第1键合引线的下部空间内，填充有填充时黏度大于等于1Pa·s且小于1000Pa·s的绝缘性树脂或光硬化型绝缘性树脂。借助于此，就可以抑制起因于引线下部的树脂未填充部分的气泡的发生。此外，第1电子部件和第2电子部件，通过粘接时黏度大于等于1kPa·s且小于等于100kPa·s的绝缘性树脂层粘接起来。因此，可以防止起因于下边部分一侧的电子部件的键合引线与上边部分一侧的电子部件之间的接触的绝缘不良或短路等的发生。
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